Pressemeldungen

Finisar bestellt weitere AIXTRON G4-Anlage

Die Finisar Corporation, ein Marktführer in der optischen Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation, hat sich erneut für eine MOCVD-Anlage von AIXTRON entschieden. Mit einer weiteren automatisierten AIX 2800G4-TM-Anlage wird der amerikanische Hersteller Indiumphosphid (InP)-Materialien für Laser und Detektoren entwickeln.

AIXTRON Auftragseingang und Umsatzerlöse stabilisieren sich / Steigende Auftragseingänge und operative Profitabilität innerhalb des 2. Halbjahres erwartet / 2013 soll Wachstumsjahr werden /

AIXTRON führt AIX G5+ in den Markt ein

GaN-auf-Si-Technologie auf 5x200 mm AIX G5-Plattform

EpiGaN: 8-Zoll GaN-auf-Si-Entwicklung auf AIXTRON Anlagen erfolgreich gestartet

Das belgische Unternehmen EpiGaN mit Sitz in Hasselt, Hersteller von epitaxialen III-Nitrid-Materialien, hat erstmals zwei MOCVD-Anlagen von AIXTRON erfolgreich in Betrieb genommen.

TRUMPF Photonics bestellt AIX 2800G4-TM-Anlage von AIXTRON

Die amerikanische TRUMPF Photonics mit Sitz in Princeton, NJ, USA, hat eine AIX 2800G4-TM MOCVD-Anlage für Anwendungen im Bereich der Hochleistungslaser erhalten.

Projekt TECHNOTUBES: AIXTRON demonstriert neue BM 300T-Anlage für Kohlenstoff-Nanoröhren

AIXTRON SE stellt zum Abschluss des Projekts TECHNOTUBES (Technology for Wafer-Scale Carbon Nanotubes) die automatisierte BM 300T-Anlage vor. Der Schwerpunkt des von der Europäischen Kommission geförderten Projekts lag auf der Entwicklung von Wachstumsprozessen, Qualitätskontrollen, Automatisierung und einer Reihe möglicher Endanwendungen auf Basis von Kohlenstoff-Nanoröhren. Drei Jahre lang arbeiteten die Universität Cambridge (als Koordinator), die ETH Zürich, TU Dänemark, TU Berlin, das Fritz Haber Institut, CNR-Triest, Philips, THALES, die Cambridge CMOS Sensors, IMEC sowie AIXTRON als Projektpartner zusammen.