TECHNOLOGIEN

SiC Warmwand-Planeten-Prinzip (SiC-CVD)

Die Warmwand-CVD-Anlagen werden zur Herstellung von Halbleitern mit großer elektronischer Bandlücke (engl., wide-band gap semiconductors), wie z.B. Siliziumkarbid (SiC) eingesetzt. Denn ihre Prozesskammern liefern die für WBG-Halbleiter benötigten sehr hohen Abscheidetemperaturen. Bei diesen Anlagen ist das Konzept des Planetenreaktors mit dem Hochtemperaturprozess verknüpft. Mit einer Konfiguration von bis zu 5x200 mm Wafern gehören diese Anlagen zu den größten kommerziellen CVD-Produktionsanlagen für Siliziumkarbid (SiC) weltweit. Neben einer unübertroffenen Produktionskapazität gehört die effektive Nutzung der Ausgangsmaterialien zu den entscheidenden Vorteilen.

Die Zukunft fährt mit Siliziumkarbid

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial, das sich ausgezeichnet für elektrische Anwendungen bei hohen Leistungen und Frequenzen eignet. Schnelle, verlustfreie SiC-Schottky-Dioden sorgen für effiziente und kompakte Lösungen für Schaltnetzteile, die bereits in Computer-Servern eingesetzt werden. Leistungsgleichrichtermodule, die mithilfe von SiC-Gleichrichtern und Transistoren leichter und kompakter ausgeführt werden können, zeigen ein vielversprechendes Potenzial für den zukünftigen Einsatz in Hybrid- oder Elektrofahrzeugen.

Bei dieser Anlage ist der horizontale Warmwand-Reaktor mit der Mehrfachrotation der Substratträger, der sogenannten Gas Foil Rotation (GFR), kombiniert. Während des Beschichtungsprozesses werden durch die Rotation der Substratträger sehr homogene Schichten erzielt, die für moderne Hochleistungsbauelemente benötigt werden. Mit dem patentierten Transfersystem kann der Reaktor manuell mit den Substratträgern be- und entladen werden. Auf Wunsch bietet eine zweite Beschichtungskammer mehr Flexibilität und einen höheren Durchsatz der Anlage.

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