TECHNOLOGIEN

Showerhead-Prinzip (MOCVD)

Bei der Close Coupled Showerhead-Technologie werden die prozessrelevanten Gase durch die wassergekühlte Showerhead-Oberfläche über der gesamten Beschichtungsfläche in den Reaktor eingelassen. Dabei ist der Abstand zwischen dem Showerhead und den Substraten sehr klein. Der Gaseinlass ist so konzipiert, dass die einzelnen Gase durch viele schmale Röhrchen bis kurz vor dem Einlass getrennt sind. Die Gase werden durch separate Öffnungen im wassergekühlten Showerhead in den Reaktor eingelassen, um eine sehr gleichmäßige Verteilung der Prozessgase zu erreichen.

Das Close Coupled Showerhead (CCS) -Konzept lässt eine Vielzahl an Suszeptor-Substrat-Konfigurationen mit einer maximalen Kapazität von 121x2-, 31x4- oder 12x6-Zoll Wafern zu, die für die Massenproduktion von GaN-Bauelementen verwendet werden.

Die Substrate liegen auf einem rotierenden Suszeptor, der mit einer Widerstandsheizung erhitzt wird. Durch separate Heizzonen kann das Temperaturprofil so angepasst werden, dass der Suszeptor auf der gesamten Oberfläche immer die gleiche Temperatur hat.

 

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