DEPOSITIONSANLAGE FÜR VERBINDUNGSHALBLEITER

AIX 2800G4-TM (IC2)

“Die beste Anlage für die Massenproduktion von GaAs/InP-basierten Optoelektronik- und RF-Anwendungen“

Vorteile

  • Beste Kontrolle der Abscheidung - auf Wafer-Ebene
  • Niedrigste Partikelanzahl
  • Höchste Produktausbeute
  • Niedrigste Produktionskosten

Produkteigenschaften

  • Einzigartiger horizontal durchströmter Planetenreaktor - integriert beste Gleichmäßigkeit und höchsten Wirkungsgrad
  • Prozesskammer aus Graphit – sehr geringe Partikelanzahl und höchste Wiederholungsleistung
  • Dreifache Prozessgaseinspritzung - Maximale Ausbeuteoptimierung
  • Einzelrotation der Wafer – Kombination der Produktivität einer Mehrscheiben-Prozesskammer mit der Abstimmbarkeit einer einzelnen Prozesskammer
  • Automatisierte Satellitenbeladung bei hohen Temperaturen - Höchster Durchsatz, niedrigste Partikelanzahl

Konfigurationen

  • 15x4 Zoll
  • 8x6 Zoll

AIX 2800G4-TM (IC2)

Ihr Ansprechpartner

Product Management

Dr. Jens Voigt

Director