Universität Warschau erforscht Galliumnitrid mit AIXTRON CCS-Anlage

Die Universität Warschau in Polen hat im vierten Quartal 2011 eine 3x2-Zoll Close Coupled Showerhead- (CCS) Anlage von AIXTRON erworben. Die MOCVD-Anlage ist für die Abscheidung von Galliumnitrid (GaN) vorgesehen und wird im zweiten Halbjahr 2012 ausgeliefert.

FOREPI ordert weitere AIXTRON CRIUS II-XL- und G5 HT-Anlagen

Die Formosa Epitaxy Inc. (FOREPI) – langjähriger AIXTRON Kunde – hat im zweiten Quartal 2012 mehrere neue MOCVD-Anlagen bestellt. Die vier 19x4-Zoll CRIUS II-XL-Anlagen und zwei 14x4-Zoll G5 HT-Anlagen sind für die Herstellung GaN-basierter blauer und weißer LEDs vorgesehen.

AIXTRON Auftrags- und Umsatzniveau spiegelt aktuelles Nachfragetief wider / AIXTRON baut F&E-Investitionen während Marktrückgang weiter aus / Operative Profitabilität weiterhin angestrebt

Changchun University of Science and Technology entwickelt Laser mit neuer AIXTRON Anlage

Die Changchun University of Science and Technology (CUST) in China hat erstmals einen Multi-Wafer MOCVD-Reaktor von AIXTRON bestellt. Damit sollen quaternäre Materialien für die Herstellung von Laserdioden entwickelt werden.

MicroLink bestellt weitere AIX 2800G4-Anlage von AIXTRON

Im Zuge einer erneuten Kapazitätssteigerung für HBT*-Transistoren und Solarzellen hat der US-amerikanische Hersteller MicroLink Devices mit Sitz in Niles, IL, im dritten Quartal 2011 eine weitere AIX 2800G4-Anlage mit vollautomatischer Waferbeladung bestellt. Die Auslieferung der neuen Anlage ist für das zweite Quartal 2012 geplant.

AIST entwickelt Graphen auf 300 mm Wafern mit AIXTRON Anlage

Das National Institute Advanced Industrial Science and Technology (AIST) in Japan hat eine AIXTRON BM 300-Anlage erfolgreich in Betrieb genommen. Die Anlage wurde 2011 von AIXTRONs Serviceteam im Reinstraum des japanischen Instituts in Tsukuba installiert. Im Rahmen der MRS Spring Konferenz 2012 präsentierte AIST-Gruppenleiter Dr. Shintaro Sato am 10. April die Resultate.