AIXTRON Pressemeldungen

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Pressemeldungen

Hier finden Sie aktuelle Meldungen. Sie benötigen Informationen, um einen Beitrag über AIXTRON zusammenzustellen? Gerne stellen wir Ihnen Material zur Verfügung.

24. Juli 2012 | Pressemeldungen

AIXTRON führt AIX G5+ in den Markt ein

GaN-auf-Si-Technologie auf 5x200 mm AIX G5-Plattform

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17. Juli 2012 | Pressemeldungen

EpiGaN: 8-Zoll GaN-auf-Si-Entwicklung auf AIXTRON Anlagen erfolgreich gestartet

Das belgische Unternehmen EpiGaN mit Sitz in Hasselt, Hersteller von epitaxialen III-Nitrid-Materialien, hat erstmals zwei MOCVD-Anlagen von AIXTRON erfolgreich in Betrieb genommen.

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10. Juli 2012 | Pressemeldungen

TRUMPF Photonics bestellt AIX 2800G4-TM-Anlage von AIXTRON

Die amerikanische TRUMPF Photonics mit Sitz in Princeton, NJ, USA, hat eine AIX 2800G4-TM MOCVD-Anlage für Anwendungen im Bereich der Hochleistungslaser erhalten.

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05. Juli 2012 | Pressemeldungen

Projekt TECHNOTUBES: AIXTRON demonstriert neue BM 300T-Anlage für Kohlenstoff-Nanoröhren

AIXTRON SE stellt zum Abschluss des Projekts TECHNOTUBES (Technology for Wafer-Scale Carbon Nanotubes) die automatisierte BM 300T-Anlage vor. Der Schwerpunkt des von der Europäischen Kommission geförderten Projekts lag auf der Entwicklung von Wachstumsprozessen, Qualitätskontrollen, Automatisierung und einer Reihe möglicher Endanwendungen auf Basis von Kohlenstoff-Nanoröhren. Drei Jahre lang arbeiteten die Universität Cambridge (als Koordinator), die ETH Zürich, TU Dänemark, TU Berlin, das Fritz Haber Institut, CNR-Triest, Philips, THALES, die Cambridge CMOS Sensors, IMEC sowie AIXTRON als Projektpartner zusammen.

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03. Juli 2012 | Pressemeldungen

AIXTRON liefert neue ALD-Anlagengeneration QXP-8300 an namhaften Kunden aus Korea

AIXTRON SE, führender Anbieter von Beschichtungsanlagen und -lösungen für die Halbleiterindustrie, hat von einem namhaften koreanischen DRAM-Hersteller einen Auftrag über mehrere QXP-8300 ALD*-Anlagen erhalten. Die QXP-8300 für DRAM-Speicherchips mit Strukturgrößen unter 30 nm wird wertvolle Unterstützung bei der Massenproduktion fortschrittlichster DRAM-Technologie leisten.

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26. Juni 2012 | Pressemeldungen

NCHU in Taiwan: GaN-auf-Siliziumforschung mit AIXTRON CCS-Anlage

Die National Chung Hsing University (NCHU), eine der führenden technischen Universitäten Taiwans, wird künftig eine 3x2-Zoll Close Coupled Showerhead (CCS) MOCVD-Anlage für ihre Forschungsarbeit einsetzen. Es ist die erste AIXTRON Anlage für die Universität.

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Veranstaltungskalender

Event	Datum	Erinnerung
Career Day für Frauen	Datum 10.06.2024	Erinnerung Erinnerung
Veröffentlichung Konzern-Halbjahresfinanzbericht H1/2024	Datum 25.07.2024	Erinnerung Erinnerung
Nacht der Unternehmen	Datum 22.10.2024	Erinnerung Erinnerung
Veröffentlichung Konzern-Quartalsbericht Q3/2024	Datum 31.10.2024	Erinnerung Erinnerung

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AIXTRON führt AIX G5+ in den Markt ein

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