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Pressemeldungen

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Zeitraum
11. September 2012 | Pressemeldungen

Projekt „Low Energy Electronics Systems"(LEES) fördert Energieeffizienz in Singapur mit AIXTRON Anlagen

GaN-auf-Si: Logik und Licht auf einem Chip

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04. September 2012 | Pressemeldungen

Universität Osaka produziert neuartige Biosensoren mit AIXTRON Anlage

Die Universität Osaka in Japan hat im dritten Quartal 2012 eine BM* Pro-Anlage für 4-Zoll-Substrate bei AIXTRON bestellt.

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30. August 2012 | Pressemeldungen

Showa Denko: Umstellung auf 150mm Siliziumkarbid-Wafer mit AIXTRON Technologie

Der japanische Hersteller Showa Denko mit Sitz in Chichibu erweitert seine AIXTRON Anlagenbasis um einen Warmwand-Planetenreaktor für 100mm- bzw. 150mm-Wafer zur Herstellung von Siliziumkarbid (SiC).

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28. August 2012 | Pressemeldungen

Universität Stuttgart bestellt weitere AIXTRON Anlage

Gemeinsames Forschungsprogramm für III/V-Diodenlaser auf Silizium

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21. August 2012 | Pressemeldungen

AIXTRON liefert PRODOS Gen3.5-Produktionsanlage an großen asiatischen Kunden

Neue PVPD-Plattform zur Polymerabscheidung für die organische Elektronik

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16. August 2012 | Pressemeldungen

Jilin-Universität erforscht UV- und weiße LEDs aus Galliumnitrid mit AIXTRON Anlage

Die chinesische Jilin-Universität hat sich erneut für eine MOCVD-Anlage von AIXTRON entschieden. Die 3x2-Zoll Close Coupled Showerhead (CCS)-Anlage soll in der Herstellung von Galliumnitridmaterialien (GaN) für UV-emittierende und weiße LEDs eingesetzt werden.

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