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Pressemeldungen

Hier finden Sie aktuelle Meldungen. Sie benötigen Informationen, um einen Beitrag über AIXTRON zusammenzustellen? Gerne stellen wir Ihnen Material zur Verfügung.

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Zeitraum
03. April 2012 | Pressemeldungen

TU Ilmenau entwickelt III-V-Solarzellen mit AIXTRON F&E-Anlage

Die Technische Universität Ilmenau, eines der führenden Forschungsinstitute Deutschlands, hat eine AIXTRON MOCVD-Anlage in einer doppelten 1x2-Zoll Waferkonfiguration bestellt. Damit will der AIXTRON Kunde neue Materialien und Strukturen für die III-V-basierte Optoelektronik, die hocheffiziente Konzentrator-Photovoltaik sowie für die Integration von III-V-Halbleitern auf Silizium und Germanium entwickeln.

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27. März 2012 | Pressemeldungen

NTT Photonics: Laserforschung mit AIXTRON MOCVD-Technologie

Der japanische Hersteller und AIXTRON Kunde NTT Photonics hat im zweiten Quartal 2011 eine AIXTRON CCS-Anlage zur Erforschung quaternärer InGaAsP-Diodenlaser bestellt.

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19. März 2012 | Pressemeldungen

University of Texas at Austin entwickelt hochwertiges Graphen im Wafer-Maßstab mit AIXTRON Anlage

Forschern der University of Texas at Austin (USA) ist es erstmals gelungen, Graphen auf aufgedampften Kupferschichten im Wafer-Maßstab abzuscheiden. Die Resultate wurden mit einer kürzlich erworbenen vertikalen Kaltwand BM Pro-Anlage von AIXTRON erzielt und werden derzeit auf der American Chemical Society´s Nano Website publiziert*.

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16. März 2012 | Pressemeldungen

Aucksun Opto bestellt fünf AIXTRON Anlagen für die LED-Produktion

Der chinesische Hersteller Aucksun Optoelectronics Technology Ltd. aus Huaian hat im ersten Quartal 2012 erstmals fünf neue Multiwafer-Anlagen von AIXTRON bestellt. Mit zwei 49x2 AIX 2600G3 IC- sowie drei 60x2 AIX 2800G4-Anlagen will das Unternehmen Materialien für die LED-Herstellung abscheiden.

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08. März 2012 | Pressemeldungen

Quantum Wafer steigert Kapazitäten mit AIXTRON Technologie

Der chinesische Hersteller Quantum Wafer Inc. hat drei weitere MOCVD-Anlagen von AIXTRON bestellt. Alle Anlagen sind für die Herstellung von LED-Wafern auf Basis von Galliumnitrid vorgesehen.

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Hauptversammlung 2024 Datum 15.05.2024 Erinnerung Erinnerung
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Nacht der Unternehmen Datum 22.10.2024 Erinnerung Erinnerung
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