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Pressemeldungen

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Alle Meldungen
Zeitraum
17. November 2011 | Pressemeldungen

Hualei Optoelectronics erhält weitere AIXTRON MOCVD-Anlagen

Die chinesische Xiang Nang Hualei Optoelectronics Ltd. mit Sitz in der Provinz Hunan hat acht neue AIXTRON MOCVD1-Anlagen erhalten und erweitert damit die Produktionskapazitäten für HB2-LEDs auf Galliumnitridbasis. Die Bestellung umfasst sechs 55x2-Zoll CRIUS II- sowie zwei AIX G5 HT-Anlagen in einer 56x2-Zoll-Konfiguration.

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03. November 2011 | Pressemeldungen

NTU Singapur: Forschung in der Festkörperbeleuchtung mit AIXTRON Anlage

Die Nanyang Technological University (NTU) in Singapur hat eine neue Close Coupled Showerhead (CCS)-Anlage zur Herstellung sehr heller LEDs und entsprechender Materialsysteme erhalten. Die 3x2-Zoll-Anlage wurde von dem lokalen AIXTRON Service Team erfolgreich in Betrieb genommen.

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25. Oktober 2011 | Pressemeldungen

Infineon Technologies entwickelt hocheffiziente GaN-auf-Si-HEMT-Transistoren mit AIXTRON G5-Anlage

Mit der erfolgreichen Abnahme einer 8x6-Zoll AIX G5 HT MOCVD1-Anlage im September 2011 hat AIXTRON Kunde Infineon Technologies das erste Planungsziel bei der Entwicklung seiner GaN-auf-Si2 HEMTs3 erreicht. Die neue Anlage ist zusätzlich für die Herstellung von 5x8-Zoll-Wafern optimiert.

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11. Oktober 2011 | Pressemeldungen

NEDI erforscht Hochleistungsbauteile und LEDs mit AIXTRON Anlagen

Das Nanjing Electronic Devices Institute (NEDI), ein führender chinesischer Hersteller elektronischer Komponenten, hat eine 12x4-Zoll AIX 2600G3 IC- sowie eine VP2400HW-Anlage mit einer Waferkapazität von 6x4-Zoll bestellt.

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