11. Dezember 2020 | NEWS

Namhafter Automobilzulieferer stellt Chips für die e-Mobilität auf AIXTRONs neuer SiC-Anlage her

Kunde wird SiC-Epi-Wafer-Industrialisierung auf AIXTRONs neuen, vollautomatisierten SiC-Anlage beginnen / Beste Leistung für SiC-Leistungselektronik der nächsten Generation

Der Automobilzulieferer Bosch wird die Epi-Wafer für seine Siliziumcarbid-Leistungshalbleiter auf der neuen vollautomatischen AIX G5 WW C-Anlage von AIXTRON SE (FWB: AIXA) herstellen. AIXTRON ist ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. In seiner Reutlinger Fabrik hat Bosch eine 6-Zoll-Pilotlinie (150 Millimeter) für die Entwicklung von SiC-Trench-MOSFETs gebaut. Diese effizienten Leistungsschaltgeräte sind als Schlüsselkomponente von Traktionsumrichtern für moderne Elektrofahrzeug-Antriebsstränge anerkannt.

Hoher Durchsatz an qualitativ hochwertiger SiC-Epitaxie

Halbleiter mit breitem Bandabstand (Wide-Band-Gap semiconductors) wie Siliziumcarbid (SiC) verfügen über einzigartige physikalische Eigenschaften. Das ermöglicht eine hohe Belastbarkeit, effiziente Schaltvorgänge und geringere Verluste in Leistungsbauelementen im Vergleich zu traditionell eingesetzten Halbleitern aus Silizium. Sie leisten einen wesentlichen Beitrag zur Reduzierung der CO2-Emissionen und zum Erreichen der Klimaziele in einer stark elektrische Energie nutzende Wirtschaft. Daher wird erwartet, dass SiC-basierte Halbleiter einen führenden Marktanteil bei effizienten Hochleistungsanwendungen gewinnen werden.

Vor allem besteht die Erwartung, dass ihr Einsatz in Elektrofahrzeugen (EVs) in den nächsten Jahren massiv an Fahrt aufnehmen wird. Denn SiC-Leistungstransistoren reduzieren die Schaltverluste im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumlösungen erheblich. Dies geht einher mit einer extremen Robustheit auch bei hohen Betriebstemperaturen sowie mit einer Reduzierung der Größe, des Kühlungsbedarfs und der Systemkosten. Am wichtigsten ist, dass der hohe Wirkungsgrad von SiC-Leistungsschaltern die Reichweite von Elektrofahrzeugen um etwa 6 Prozent erhöht.

„Wir freuen uns über die Zusammenarbeit mit AIXTRON auf dem Gebiet der SiC-Epitaxie in unserer Fabrik in Reutlingen. Ihre G5 WW C-Anlage liefert SiC-Epi-Schichten von ausgezeichneter Homogenität und niedrigstem Partikelgehalt, was eine Schlüsselanforderung im SiC-MOSFET-Herstellungsprozess ist. Das G5 WW C-System liefert einen herausragenden Durchsatz", sagt Dr. Christian Förster, Vice President Project Power SiC bei Bosch.

Niedrige Gesamtbetriebskosten dank Durchsatz

Der Planetenreaktor® des AIX G5 WW C-Systems kombiniert eine 8x150 mm Multiwafer-Kapazität mit automatisiertem Wafer-Transfer und Beladung des Reaktor bei hohen Temperaturen. Diese Qualitätsmerkmale ermöglichen einen hohen Systemdurchsatz sowie eine präzise On-Wafer-Temperaturregelung für optimale Schichtgleichmäßigkeit und Reproduzierbarkeit.

Dr. Felix Grawert, Vorstand von AIXTRON SE: „Effiziente Leistungselektroniksysteme für moderne Elektrofahrzeuge wechseln von traditionellen Halbleitern auf Siliziumbasis zu Halbleitermaterial mit breitem Bandabstand wie Siliziumkarbid (SiC). Wir sind stolz darauf, der Industrie mit unserer neuesten automatisierten SiC-Epi-Plattform zu dienen, und fühlen uns besonders geehrt, mit Bosch zusammen zu arbeiten. Unsere Innovationen auf dem Gebiet der SiC-Halbleiter sind auf eine überlegene Leistung des SiC-Materials auf einer hochproduktiven und kosteneffizienten Plattform für die Serienfertigung von Wafern ausgerichtet."

 

 

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