16. Dezember 2020 | PRESSEMITTEILUNG

EpiWorld qualifiziert AIXTRON G5 WW C-Anlage für die SiC-Produktion

AIXTRONs neue SiC-Plattform erfüllt die hohen Anforderungen bei der Produktionsqualifizierung / EpiWorld baut Epitaxie-Strukturen für SiC-Leistungsbauelemente auf

Herzogenrath, 16. Dezember, 2020 – AIXTRONs neue SiC-Plattform hat die Produktionsqualifizierung von Epiworld International Co., Ltd. erfolgreich abgeschlossen. Jetzt kann EpiWorld mit der innovativen AIX G5 WW C-Anlage die Großserienproduktion von SiC-Epitaxie-Produkten am neuen Produktionsstandort in Xiamen aufnehmen. Die VPE-Anlage (Gasphasenepitaxie) von AIXTRON SE (FSE: AIXA), einem der weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, ist mit der neuesten Planeten-Reaktor®-Plattform von AIXTRON für die Herstellung von 8x150 mm Epi-Wafern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) ausgestattet.

EpiWorld, ein auf dem Weltmarkt führendes SiC-Epitaxie-Serviceunternehmen mit Sitz in China, will seine Produktionskapazitäten weiter ausbauen, um die steigende Nachfrage der Kunden zu befriedigen. Das Unternehmen hat bereits Produktionslinien für 4- und 6-Zoll-SiC-Epi-Wafer zur Herstellung von 650-Volt-, 1.200-Volt- und 1.700-Volt-Leistungsbauelementen fertiggestellt. Das kürzlich aufgebaute Fertigungszentrum bietet Platz für eine schnelle Erweiterung auf 400.000 6-Zoll-Epi-Wafer pro Jahr. EpiWorld hat derzeit eine Kapazität von über 60.000 Stück jährlich.

Epi-Wafer auf höchstem Qualitätsniveau auf neuer SiC-Plattform

„In den vergangenen Jahren haben wir uns als führender Lieferant von SiC-Epi-Wafer für Leistungsbauelemente bei verschiedenen Anbietern im Automobilsektor qualifiziert und verfügen daher über eine starke Präsenz in einer der anspruchsvollsten Branchen weltweit. Da wir und unsere Kunden hohe Qualitätsansprüche haben, vertrauen wir auf AIXTRONs bewährte Anlagentechnologie und sind bereit, mit der AIX G5 WW C in die Großserienproduktion unserer Bauelemente auf Basis von SiC-Epi-Wafer einzusteigen", sagt Dr. Feng, General Manager von EpiWorld.

Dr. Feng fügt hinzu: „Der Reaktor in der AIX G5 WW C-Anlage von AIXTRON für SiC-Epi-Wafer kombiniert die Leistung einer Single-Wafer-Anlage mit den Kostenvorteilen eines Multi-Wafer-Reaktors. Die Anlage garantiert EpiWorld den branchenweit höchsten Durchsatz bei niedrigsten Produktionskosten und ermöglicht gleichzeitig eine hervorragende Produktionsqualität."

Megatrends wie die E-Mobilität ermöglichen

Der Markt für SiC-Epi-Wafer für die Leistungselektronik wächst schnell. Der hohe Wirkungsgrad von Bauelementen aus Siliziumkarbid ermöglicht Energieeinsparungen, Wärmereduzierung, Gewichts- und Systemgrößenreduzierung und dadurch insgesamt niedrigere Systemkosten. Dies prädestiniert sie für den Einsatz in Bereichen wie Elektrofahrzeuge (EVs), EV-Ladestationen und Anwendungen im Segment der erneuerbaren Energien wie Solar- und Windkraftumrichter. 

„Wir freuen uns, den wichtigen Meilenstein der Produktionsqualifizierung bei einem der führenden Epitaxie-Unternehmen mit unserer neuen SiC-Plattform zu erreichen, um die weitere Kommerzialisierung von Siliziumkarbid zu beschleunigen", sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Marketing Power Electronics der AIXTRON SE. „Unser Kunde EpiWorld ist gut aufgestellt, um den schnell wachsenden Markt für SiC-Leistungsbauelemente in der chinesischen Automobilindustrie und darüber hinaus zu adressieren. Die erweiterten Produktionskapazitäten bei EpiWorld werden die Entwicklung zahlreicher Anwendungen im Segment High-End-Leistungselektronik unterstützen, die Megatrends wie E-Mobilität oder erneuerbare Energien bedienen."

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