21. November 2018 | Pressemeldungen

InnoScience treibt Entwicklung von GaN-Bauelementen mit mehreren MOCVD-Anlagen von AIXTRON voran

AIX G5+ C-Anlage für Massenproduktion ebnet leistungsstarken 650V GaN-on-Si-Bauelementen den Weg

Herzogenrath, 21. November 2018 – AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, wird mehrere AIX G5+  C MOCVD-Anlagen an InnoScience Technology Co. Ltd. (China) für die Entwicklung von GaN-(Galliumnitrid)-Leistungsbauelementen liefern, die aufgrund ihrer überlegenen Leistung bei hohen Frequenzen in verschiedenen Anwendungen zunehmend die Si-(Silizium)-Leistungsbauelemente verdrängen. Alle Anlagen-Cluster von AIXTRON sind mit einer 5x200 mm Konfiguration ausgestattet und werden bis Q2/2019 ausgeliefert.

GaN-Leistungsbauelemente haben im Vergleich zu den herkömmlichen Si-basierten Leistungschips sehr niedrige Leitungs-, Schalt- und Ausschaltverluste, da sie eine höhere Durchschlagsfestigkeit, Schaltgeschwindigkeit und Wärmeleitfähigkeit sowie einen geringeren On-Widerstand aufweisen. GaN-Leistungsbauelemente kommen bereits heute in Anwendungen wie der effizienten Stromversorgung für PC und Server oder der optischen Abstands- und Geschwindigkeitsmessung (Light Detection And Ranging, LiDAR) sowie der drahtlosen Leistungsübertragung, die ein schnelles Umschalten über 1 MHz erfordern, zum Einsatz. Darüber hinaus haben sie auch Vorteile bei der Anwendung in Elektrofahrzeugen wie On-Board-Ladegeräten (OBC), da sie die Systemgröße durch überlegene thermische Eigenschaften und die Reduzierung der passiven Komponenten deutlich reduzieren.

Vor dem Hintergrund der stetig steigenden Zahl von Anwendungen kann die AIX G5+ C-Anlage von AIXTRON ihre Vorteile im Herstellungsprozess voll ausspielen, da die Anlage skalierbare Prozesse, strenge Gleichmäßigkeit und Partikelkontrolle der epitaktischen Wafer ermöglicht, um höchste Ausbeute und maximalen Durchsatz bei niedrigsten Betriebskosten zu ermöglichen.

Jay Son, CEO von InnoScience Technology, sagt: "Wir haben uns für die AIX G5+ C entschieden, da sie aufgrund der hervorragenden Eigenschaften des Planetenreaktor-Konzepts eine ausgezeichnete Dicke und Gleichmäßigkeit der Wafer liefert. Die neu erworbenen Anlagen werden uns eine Produktionssteigerung für unsere Spitzenprodukte wie die 650V GaN-on-Si1-Bauelemente zu den besten Stückkosten pro Wafer auf dem Markt ermöglichen."

"Die Marktnachfrage nach Leistungselektronik, insbesondere nach GaN-basierten Bauelementen, nimmt zu und AIXTRON verfügt mit der AIX G5+ C über die leistungsfähigste Anlage im Markt. Wir freuen uns, dass InnoScience in China voranschreitet und sich für diese Anlage entschieden hat, die nicht nur durch ihre Leistung überzeugt, sondern auch die Produktion von GaN-Leistungsbauelementen wirtschaftlich rentabel macht", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstand der AIXTRON SE.

1 GaN-on-Si = Galliumnitrid-auf-Silizium

 

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