13. November 2018 | Pressemeldungen

EpiGaN erweitert Produktion von GaN-Leistungselektronik mit AIX G5+ C

Führender europäischer Anbieter von GaN-basierten Technologielösungen setzt auf MOCVD-Produktionsanlage von AIXTRON

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass EpiGaN eine AIX G5+ C MOCVD-Anlage zur Erhöhung der Produktionskapazität von GaN-on-Si1- und GaN-on-SiC2-Epiwafern mit großem Durchmesser bestellt hat. Das belgische Unternehmen ist spezialisiert auf GaN-on-Si- und GaN-on-SiC-basierte Materialproduktlösungen für zukunftsweisende Halbleiterbauelemente, die vor allem in der Telekommunikation, Leistungselektronik und Sensorik zum Einsatz kommen.

Die neue AIX G5+ C-Anlage von AIXTRON wird in Q1/2019 am Produktionsstandort von EpiGaN in Hasselt (Belgien) installiert und in Betrieb genommen. Die vollautomatische MOCVD-Planetenanlage verfügt über eine In-situ-Kammerreinigung und ermöglicht Konfigurationen von 8x6 Zoll- oder 5x8 Zoll-Epiwafern, die mittels eines Wafer-Transfermoduls für den Kassettenbetrieb („cassette-to-cassette“) automatisch geladen und entladen werden können.

"Die Nachfrage unserer weltweiten Kundenbasis nach GaN-Produktlösungen steigt. Unsere Hauptkunden bereiten sich auf die Markteinführung und Vergrößerung von Produkten vor, die auf unserer GaN-HF-Leistungstechnologie basieren, die für 5G-Breitbandnetzanwendungen optimiert ist. Mit der AIX G5+ C Planetenanlage von AIXTRON wird EpiGaN seine Kapazität für 150mm- und 200mm-Produktlösungen erhöhen, um die steigend Marktnachfrage zu befriedigen", sagt EpiGaN-Mitbegründerin und CEO Dr. Marianne Germain. "Die AIXTRON-Planetenanlage kombiniert exzellente Homogenität der Wafer und Run-to-Run-Leistung mit niedrigsten Betriebskosten – entscheidenden Faktoren, um unseren Kunden herausragende und leistungsfähige Produkte zum richtigen Preis anbieten zu können."

Dr. Felix Grawert, President von AIXTRON, sagt: "Wir sind überzeugt, dass die AIX G5+ C den hohen Anforderungen von EpiGaN an eine qualitativ hochwertige Massenproduktion GaN-basierter Epiwafer gerecht wird. Denn unsere Anlage erfüllt die höchsten Standards hinsichtlich Homogenität der Wafer und Partikel-Anzahl."

Erst kürzlich hat EpiGaN Versionen mit großem Durchmesser seiner HVRF (High Voltage Radio Frequency) GaN-on-Si- sowie GaN-on-SiC-Wafer-Produktfamilien auf den Markt gebracht, die auf anspruchsvolle 5G-Anwendungen zugeschnitten sind. Mit der neuen AIX G5+ C MOCVD-Anlage von AIXTRON erwartet EpiGaN eine schnelle Vergrößerung und Verbreitung seiner differenzierten Technologielösungen auf dem Weltmarkt.

1 GaN-on-Si = Galliumnitrid-auf-Silizium, 2 GaN-on-SiC = Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid

 

Pressemeldung herunterladen 508.2 KB

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®

Ihr Ansprechpartner

Investor Relations & Corporate Communications

Henning Marburger

Senior PR Manager

Tel: +49 (2407) 9030 3665

Fax: +49 (2407) 9030 445

E-Mail senden