Pressemeldungen

Win Semiconductors steigert Produktionskapazitäten mit weiteren AIXTRON Anlagen

AIXTRON Kunde WIN Semiconductors, einer der führenden Hersteller von Hochfrequenzbauelementen in Taiwan, hat zwei neue MOCVD-Anlagen erworben. Es handelt sich um eine weitere AIX 2600G3 in einer 7x6-Zoll-Konfiguration sowie erstmals auch um eine AIX 2800G4 in einer 8x6-Zoll-Konfiguration. Mit den neuen Anlagen sollen verschiedene Hochleistungsbauelemente für die Massenproduktion entwickelt werden.

Hualei Optoelectronics erhält weitere AIXTRON MOCVD-Anlagen

Die chinesische Xiang Nang Hualei Optoelectronics Ltd. mit Sitz in der Provinz Hunan hat acht neue AIXTRON MOCVD1-Anlagen erhalten und erweitert damit die Produktionskapazitäten für HB2-LEDs auf Galliumnitridbasis. Die Bestellung umfasst sechs 55x2-Zoll CRIUS II- sowie zwei AIX G5 HT-Anlagen in einer 56x2-Zoll-Konfiguration.

AIXTRON bringt weltweit produktivste MOCVD-Anlage CRIUS(R) II-XL auf den Markt

NTU Singapur: Forschung in der Festkörperbeleuchtung mit AIXTRON Anlage

Die Nanyang Technological University (NTU) in Singapur hat eine neue Close Coupled Showerhead (CCS)-Anlage zur Herstellung sehr heller LEDs und entsprechender Materialsysteme erhalten. Die 3x2-Zoll-Anlage wurde von dem lokalen AIXTRON Service Team erfolgreich in Betrieb genommen.

AIXTRON: Ergebnis durch Marktentwicklung und Währungseffekte beeinflusst / Unverändert positiver Ausblick für LED Beleuchtung / AIXTRON profitabel dank operativer Flexibilität

Infineon Technologies entwickelt hocheffiziente GaN-auf-Si-HEMT-Transistoren mit AIXTRON G5-Anlage

Mit der erfolgreichen Abnahme einer 8x6-Zoll AIX G5 HT MOCVD1-Anlage im September 2011 hat AIXTRON Kunde Infineon Technologies das erste Planungsziel bei der Entwicklung seiner GaN-auf-Si2 HEMTs3 erreicht. Die neue Anlage ist zusätzlich für die Herstellung von 5x8-Zoll-Wafern optimiert.