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Pressemeldungen

Hier finden Sie aktuelle Meldungen. Sie benötigen Informationen, um einen Beitrag über AIXTRON zusammenzustellen? Gerne stellen wir Ihnen Material zur Verfügung.

7. Mai 2026 | Pressemeldungen

AIXTRON hat Planetary-GaN-MOCVD-Systeme an Renesas zur Erweiterung der High-Volume-Manufacturing-Kapazitäten geliefert

EQS-Media / 07.05.2026 / 08:00 CET/CEST AIXTRON hat Planetary-GaN-MOCVD-Systeme an Renesas zur Erweiterung der High-Volume-Manufacturing-Kapazitäten geliefert Herzogenrath, 7. Mai 2026 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) hat Renesas mehrere Planetary G5+C-Systeme geliefert, um dessen Produktionskapazitäten

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30. April 2026 | Pressemeldungen

Wendepunkt dank stark steigender Optoelektronik‑Nachfrage

EQS-Media / 30.04.2026 / 07:30 CET/CEST Wendepunkt dank stark steigender Optoelektronik‑Nachfrage Prognose für das Gesamtjahr 2026 angehoben / Operativer Cashflow weiter verbessert / Q1-Ergebnisse im Rahmen der Prognose / Produktionsstandort in Malaysia und Wandelanleihe erhöhen die strategische

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25. März 2026 | Pressemeldungen

AIXTRON erweitert globale Präsenz mit einem neuen Werk in Malaysia

EQS-Media / 25.03.2026 / 19:30 CET/CEST AIXTRON erweitert globale Präsenz mit einem neuen Werk in Malaysia Herzogenrath, 25. März 2026 – AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, macht einen wichtigen Schritt zur Stärkung seiner globalen Wettbewerbsfähigkeit.

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20. November 2025 | Pressemeldungen

AIXTRON CCS MOCVD-System wird an der Ohio State University installiert – Entwicklung der nächsten Generation von Galliumoxid-Bauelementen

Herzogenrath, 20. November 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) freut sich bekanntzugeben, dass in Zusammenarbeit mit der Ohio State University ein Close Coupled Showerhead®-System für die Metallorganische Gasphasenepitaxie (CCS MOCVD) installiert wird. Das AIXTRON-System wird für die fortschrittliche Epitaxie von Galliumoxid (GaO) und Aluminium-Galliumoxid (AlGaO) zur Material- und Bauelemententwicklung auf 100-mm-Substraten eingesetzt. Dieses hochmoderne MOCVD-System trägt entscheidend zur Weiterentwicklung von Wide-Bandgap- und Ultra-Wide-Bandgap-Technologien bei.

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17. Oktober 2025 | Pressemeldungen

AIXTRON gibt vorläufige Ergebnisse für das dritte Quartal 2025 bekannt und passt Prognose für das Gesamtjahr 2025 an

EQS-Media / 17.10.2025 / 14:40 CET/CEST AIXTRON gibt vorläufige Ergebnisse für das dritte Quartal 2025 bekannt und passt Prognose für das Gesamtjahr 2025 an Herzogenrath, 17. Oktober 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6 ) passt seine Prognose für das Geschäftsjahr 2025 angesichts des schwachen

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7. Oktober 2025 | Pressemeldungen

AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei

EQS-Media / 07.10.2025 / 07:30 CET/CEST AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei Herzogenrath, 7. Oktober 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) beteiligt sich als einer der ersten Partner mit seinem Hyperion GaN-MOCVD-System an einem 300-mm-GaN-Programm für Leistungselektronik.

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Veranstaltungskalender

Event	Datum	Erinnerung
Veröffentlichung Konzern-Jahresfinanzbericht 2026	Datum 04.03.2027	Erinnerung Erinnerung
Veröffentlichung Konzern-Quartalsmitteilung Q1/2027	Datum 29.04.2027	Erinnerung Erinnerung
Hauptversammlung 2027	Datum 13.05.2027	Erinnerung Erinnerung
Veröffentlichung Konzern-Halbjahresfinanzbericht H1/2027	Datum 29.07.2027	Erinnerung Erinnerung
Veröffentlichung Konzern-Quartalsmitteilung Q3/2027	Datum 28.10.2027	Erinnerung Erinnerung

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Pressearchiv: Die folgenden Pressemitteilungen dokumentieren die Unternehmenskommunikation zum jeweiligen Veröffentlichungszeitpunkt. Umweltbezogene Aussagen entsprechen dem regulatorischen Rahmen und Kenntnisstand des jeweiligen Datums. Die aktuelle Klimakommunikation von AIXTRON finden Sie unter aixtron.com/sustainability.