AIXTRON CCS MOCVD-System wird an der Ohio State University installiert – Entwicklung der nächsten Generation von Galliumoxid-Bauelementen

Das AIXTRON CCS MOCVD-System ist bekannt für seine Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Es ermöglicht die Abscheidung hochwertiger, homogener Dünnschichten für eine breite Palette von Verbindungshalbleitern. Galli¬umoxid und seine Legierungen zeichnen sich durch überlegene Eigenschaften bei hohen Spannungen, Frequenzen und Temperaturen im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitermaterialien aus. Mit dem neuen System können Forscher der Ohio State die Materialeigenschaften untersuchen, neuartige Bauelementarchitekturen entwickeln und die Grenzen der Halbleitertechnologie erweitern.

„Über viele Jahre hinweg und auch in unserer aktuellen Arbeit haben wir mit unserem bestehenden AIXTRON CCS MOCVD-System für GaAs- und InP-basierte Halbleiter große Forschungserfolge erzielt. Aufbauend auf den von AIXTRON entwickelten Prozessen für Galli-umoxid (GaO) und Aluminium-Galli¬umoxid (AlGaO) freuen wir uns darauf, mit diesem System neuartige Epitaxieschichten und Bauelemente zu entwickeln“, erklärt Professor Steven A. Ringel, Senior Associate Vice President of Research an der Ohio State University und Executive Director des Institute for Materials and Manufacturing Research (IMR). Er ergänzt: „Die größere Wafergröße dieses Systems erweitert unsere laufenden Forschungsarbeiten zu Galli-umoxid-MOCVD in Richtung Prototyping-Maßstab und wird unsere Industriekooperationen voranbringen.“

Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE, betont: „Wir freuen uns sehr über die Lieferung und den Einsatz dieses CCS MOCVD-Systems an der Ohio State sowie über die Zusammenarbeit mit den renommierten Professoren Hongping Zhao, Siddharth Rajan und Steven Ringel. Unsere CCS MOCVD-Systeme haben sich stets durch herausragende Leistungen bei der Unterstützung führender akademischer Forschung und der nahtlosen Skalierung auf Tier-1-industrial applications bewährt. Besonders begeistert sind wir von den vielversprechenden Fortschritten in der Galli¬umoxid-Technologie, die die nächste Generation von Leistungsbauelementen einläuten.“

Der für Ga₂O₃ geeignete MOCVD-Reaktor wird im Nanotech West Lab installiert, einer 3.500 m² großen Shared-User-Einrichtung für die Material-Community der Ohio State University. Das Labor wird vom IMR betrieben, einem interdisziplinären Institut, das Infrastruktur, Entwicklung und Management wichtiger Forschungszentren und Core Facilities an der Ohio State bereitstellt.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über die Ohio State University

Die Ohio State University in Columbus, Ohio, ist bekannt für ihre starken akademischen Programme, ihre Spitzenforschung und ihr pulsierendes Campusleben. Als eine der größten Universitäten der Vereinigten Staaten spielt sie eine zentrale Rolle in den Bereichen Innovation, Bildung und gesellschaftliches Engagement in einer Vielzahl von Disziplinen.

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und  umwandlung, Kommunikation, Signal  und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com  verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

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Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®