25. August 2020 | PRESSEMITTEILUNG

Siltronic fährt GaN-Wafer-Aktivitäten mit AIXTRON-Anlage hoch

Bestellung einer vollautomatischen AIX G5+ C-Anlage zur Positionierung auf dem aufstrebenden Markt für Galliumnitrid-auf-Silizium-Materialanwendungen / Höchster Durchsatz mit exzellenter Gleichförmigkeit ermöglicht schnelles Hochfahren der Anlage

Herzogenrath, 25. August 2020 – Die Siltronic AG verstärkt ihr Geschäft mit GaN-on-Si-Wafern mit einer AIX G5+ C-Anlage der AIXTRON SE (FSE: AIXA), einem weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Die AIX G5+ C-Anlage ist vollautomatisiert und mit einer In-situ-Reinigung und einem Kassette-zu-Kassette-Transfermodul ausgestattet, das beste Epitaxie-Stabilität und unübertroffen niedrige Defektraten bietet. Der hochmoderne Planeten-Reaktor® verfügt über die Auto-Feed Forward (AFF) von AIXTRON individuelle On-Wafer-Temperaturregelung und eine 8x150-mm- und 5x200-mm-Konfiguration. Die Anlage wird im vierten Quartal dieses Jahres an den Kunden ausgeliefert.

Wafer-Ausrüstung für kommende Megatrends  

Siltronic ist ein führender Anbieter von Silizium-Wafern für die Halbleiterindustrie und wird den zusätzlichen Epitaxie-Reaktor nutzen, um die Position auf dem aufstrebenden GaN-on-Si-Markt zu stärken. Die AIX G5+ C wird von Siltronic für die Herstellung von 150 mm- und 200 mm-Galliumnitrid-auf-Silizium (GaN-on-Si)-Epi-Wafern für Radiofrequenz (RF)- und Leistungselektronikanwendungen eingesetzt.

RF, Leistungselektronikbauelemente und Schaltkreise ermöglichen hohe Schaltfrequenzen und ein effizientes Energiemanagement mit hohen Leistungsdichten. Diese Eigenschaften sind für schnell wachsende Anwendungen wie Serverfarmen, erneuerbare Energien und die nächste Generation drahtloser Netzwerke (5G) erforderlich. Neben dem kleineren Formfaktor ist GaN-on-Si ein idealer Kandidat für Schnellladegeräte und die Elektrifizierung von Fahrzeugen.

Ausgewählt von den Besten der Branche 

Dr. Christoph von Plotho, CEO der Siltronic AG, sagt: „Der GaN-on-Si-Markt ist ein wichtiges zukünftiges Wachstumsfeld. Im Rahmen des GaN-Power-Programms von imec, dem Forschungsinstitut für Nanoelektronik, waren wir schon früh sehr aktiv, um unseren Kunden Spitzenleistungen zu bieten. Um uns in diesem Markt wettbewerbsfähig zu positionieren, benötigen wir eine Anlage, mit der wir unseren Kunden die Epi-Wafer mit der besten Leistung liefern und gleichzeitig das Volumen zu niedrigsten Kosten steigern können. Wir sehen die AIX G5+ C-Anlage in dieser Hinsicht als ideale Lösung sowohl für GaN Power- als auch für RF-Bauelemente, um die wachsenden Anwendungen und Megatrends zu bedienen. Der Einsatz der GaN-on-Si-Technologie leistet auch einen zentralen Beitrag zur Verbesserung der Energiebilanz durch Dekarbonisierung."

„Die GaN-on-Si-Technologie hat in den letzten Jahren einen beeindruckenden Durchbruch erzielt, und die Geräte setzen sich sowohl in Verbraucher- als auch in Industrieprodukten für Leistungs- und RF-Anwendungen rasch durch. Die AIX G5+ C ist eine voll ausgereifte Plattform für diese fortschrittlichen Anwendungen, und es ist fantastisch, dass wir unsere Kunden bei der Erschließung dieser neuen Märkte begleiten können", sagt Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON.

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