19. November 2020 | Pressemitteilung

Lumcore verlässt sich bei Hochleistungslasern auf Anlagen von AIXTRON

Bestellung über MOCVD-Anlagen zur Herstellung von GaAs- und InP-basierten Epi-Wafern / Hohe Produktausbeute / Niedrige Produktionskosten

Herzogenrath, 19. November 2020 – Lumcore Optoelectronics Technology verlässt sich auf das MOCVD-System AIX 2800G4-TM von AIXTRON SE (FWB: AIXA), einem weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, um seine Unternehmensentwicklung entscheidend voranzutreiben. „Wir bei Lumcore machen jetzt den nächsten wichtigen strategischen Schritt in der Unternehmensentwicklung, um unseren Kunden weltweit ausgezeichnete Produkte anbieten zu können. Dazu brauchen wir zuverlässige Partner mit exzellenter Technologie an unserer Seite", sagt Xu Tianyou aus China, Vorsitzender von Lumcore, dem chinesischen Spezialisten für Hochleistungslaser auf der Basis von Halbleiterverbindungen.

„AIXTRONs Kerntechnologie sind Epitaxie-Anlagen für das Wachstum von hochwertigen Verbindungs-Halbleitermaterialien. Sie werden von Branchenexperten und technischen Spezialisten weltweit geschätzt. Nach unserer Einschätzung ist das AIXTRON-Produkt die weltweit führende Anlage für die Herstellung von Epitaxie-Materialien für High-End-Halbleiterlaser. Mit äußerst wettbewerbsfähigen Hochleistungslasern können wir einen wesentlichen Beitrag zur Unterstützung der Entwicklung Chinas leisten", fügt er hinzu.

Beste Homogenität bei der Abscheidung

Mit dem AIX 2800G4-TM-System hat sich Lumcore für AIXTRON-Anlagen entschieden, die speziell für die Herstellung von Gallium-Arsenid- und Indium-Phosphid-Halbleiterkristallstrukturen ausgelegt sind. Die beiden Halbleiterverbindungen GaAs und InP eignen sich besonders für optoelektronische Komponenten wie Hochleistungslaserdioden. Diodenlaser werden zur Materialbearbeitung, zum Schweißen, Schneiden und zur additiven Fertigung verschiedener Materialien eingesetzt. Sie werden darüber hinaus zur optischen Kommunikation über Lichtwellenleiter oder für die 3D-Sensorik wie die Gesichtserkennung in Smartphones oder zur schnellen und präzisen räumlichen Erfassung der Umgebung in autonomen Fahrzeugen verwendet.

Für die Herstellung dieser speziellen Epi-Wafer werden die notwendigen Chemikalien in einem speziellen Verfahren mit Hilfe eines Trägergases radial in die Reaktorkammer Planetenreaktoren-Technologie® von AIXTRON injiziert. Dadurch wird die gewünschte Gleichmäßigkeit des Kristallwachstums und die erforderliche hohe chemische Effizienz ermöglicht. Darüber hinaus ist die Ausbeute, also die Anzahl der verwendbaren Bauelemente pro Wafer, in der AIXTRON-Anlage optimal, sodass Lumcore eine hohe Produktivität bei niedrigen Betriebskosten erreicht. Das kommt wiederum der Marktposition des Spezialisten für Hochleistungslaser auf der Basis von Halbleiterverbindungen zugute.

Epi-Wafer für Zukunftstechnologien

Nicht zuletzt verfügen die AIX 2800G4-TM-Systeme über eine Prozesskammer aus Graphit und eine automatisierte Satellitenbeladung bei hohen Temperaturen, die einen sehr hohen Durchsatz und eine extrem niedrige Partikelanzahl gewährleisten. Die hohe Flexibilität ermöglicht es Lumcore außerdem, je nach Anforderung Epi-Wafer von 2 bis 8 Zoll herzustellen.

Dr. Felix Grawert, Vorstand der AIXTRON SE: „Mit unserer Planetenreaktor-Technologie® bieten wir auch für die sehr anspruchsvolle Großserienfertigung eine überzeugende Lösung. Sie zeichnet sich durch hohe Produktivität und Leistungsgewinne bei niedrigen Betriebskosten aus. Mit den auf unseren Systemen gewachsenen Epi-Wafern sind unsere Kunden gut gerüstet für den wachsenden, aber zunehmend wettbewerbsintensiven Markt für Anwendungen von Hochleistungslasern in Bereichen wie Unterhaltungselektronik, Automobil und Kommunikation."

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