Infineon Technologies entwickelt hocheffiziente GaN-auf-Si-HEMT-Transistoren mit AIXTRON G5-Anlage

Mit der erfolgreichen Abnahme einer 8x6-Zoll AIX G5 HT MOCVD1-Anlage im September 2011 hat AIXTRON Kunde Infineon Technologies das erste Planungsziel bei der Entwicklung seiner GaN-auf-Si2 HEMTs3 erreicht. Die neue Anlage ist zusätzlich für die Herstellung von 5x8-Zoll-Wafern optimiert.

NEDI erforscht Hochleistungsbauteile und LEDs mit AIXTRON Anlagen

Das Nanjing Electronic Devices Institute (NEDI), ein führender chinesischer Hersteller elektronischer Komponenten, hat eine 12x4-Zoll AIX 2600G3 IC- sowie eine VP2400HW-Anlage mit einer Waferkapazität von 6x4-Zoll bestellt.

Koreanische LG Electronics bestellt AIXTRON G5-Anlage für GaN/Si-Anwendungen

AIXTRON Kunde LG Electronics Woomyeon R&D Campus (LG Electronics Advanced Research Institute) aus Südkorea hat im ersten Quartal 2011 eine AIX G5 HT MOCVD*-Anlage in einer 8x6-Zoll-Konfiguration bestellt. LGE will damit in Zusammenarbeit mit AIXTRON GaN-on-Si-basierte** Bauteile für die Leistungselektronik entwickeln.

AZUR SPACE erweitert Produktion terrestrischer Solarzellen mit AIXTRON MOCVD-Technologie

Die AZUR SPACE Solar Power GmbH hat eine neue AIXTRON MOCVD*-Anlage erfolgreich in Betrieb genommen. Das Heilbronner Unternehmen zeigt sich mit dem Potenzial der Anlage sowie dem geleisteten Service voll und ganz zufrieden.

Infinera entwickelt Photonikschaltkreise nächster Generation mit AIXTRON Anlage

Das kalifornische Unternehmen Infinera, ein Neu-Kunde der AIXTRON SE, hat im ersten Quartal 2011 eine AIX 2600G3 IC MOCVD1-Anlage bestellt. Nach der Auslieferung im laufenden Quartal will das Unternehmen Indiumphosphid (InP)- Photonikschaltkreise (PICs2) der nächsten Generation herstellen. Die Anlage ist für Waferkonfigurationen von 49x2-, 12x4- oder 7x6-Zoll ausgelegt.

AIXTRON SE: Erhöhte Marktunsicherheit führt zu Umsatzverschiebung in das Jahr 2012 / AIXTRON veröffentlicht neue Prognose für das Geschäftsjahr 2011