Sinoepi in China fertigt GaN-LED-Wafer mit AIXTRON CRIUS II-L-Anlage

AIXTRON Neukunde Sinoepi Co., Ltd., einer der führenden Hersteller von Wafermaterialien in China, hat im vierten Quartal 2011 eine für 69x2-Zoll konfigurierte CRIUS II-L MOCVD-Anlage bestellt. Mit der neuen Anlage sollen Wafer für galliumnitridbasierte Leuchtdioden (LEDs) hergestellt werden.

JENOPTIK steigert Produktion von Hochleistungsdiodenlasern mit neuer AIXTRON Anlage

Die JENOPTIK Diode Lab GmbH aus Deutschland hat erneut eine MOCVD-Anlage von AIXTRON bestellt. Mit einer 12x4-Zoll AIX 2600G3 IC-Anlage will das Unternehmen seine Fertigungskapazitäten im Bereich der Materialien zur Herstellung von Hochleistungsdiodenlasern in der Sparte Laser & Materialbearbeitung steigern.

AIXTRON SE Hauptversammlung 2012 - Große Mehrheit für alle Beschlussvorlagen

Dow Corning bestellt zusätzliche SiC-Planetenreaktoren von AIXTRON

Steigende Nachfrage nach Siliziumkarbid fördert weitere Expansion

Universität Warschau erforscht Galliumnitrid mit AIXTRON CCS-Anlage

Die Universität Warschau in Polen hat im vierten Quartal 2011 eine 3x2-Zoll Close Coupled Showerhead- (CCS) Anlage von AIXTRON erworben. Die MOCVD-Anlage ist für die Abscheidung von Galliumnitrid (GaN) vorgesehen und wird im zweiten Halbjahr 2012 ausgeliefert.

FOREPI ordert weitere AIXTRON CRIUS II-XL- und G5 HT-Anlagen

Die Formosa Epitaxy Inc. (FOREPI) – langjähriger AIXTRON Kunde – hat im zweiten Quartal 2012 mehrere neue MOCVD-Anlagen bestellt. Die vier 19x4-Zoll CRIUS II-XL-Anlagen und zwei 14x4-Zoll G5 HT-Anlagen sind für die Herstellung GaN-basierter blauer und weißer LEDs vorgesehen.