AIXTRON erhält Aurora Award 2013

Für seine AIX G5+-Technologie zur Abscheidung von Galliumnitrid-auf-Silizium (GaN-auf-Si) hat AIXTRON am 11. Juni den Aurora Award 2013 der Fachzeitschrift LEDinside in der Kategorie „Effizienteste MOCVD-Anlage“ erhalten. Auswahlkriterien der Jury waren sowohl die überragende Produktionseffizienz als auch die fortschrittliche Technologie der Anlage, die im März bereits mit dem CS Industry Award ausgezeichnet worden war. 

 „Die Herstellung Galliumnitrid-basierter LEDs auf 200 mm Siliziumsubstraten hat großes  Potenzial, um die Chipkosten drastisch zu senken", erklärt Chief Technology Officer Andreas Tönnis. „Diese erneute Auszeichnung innerhalb kurzer Zeit unterstreicht die Innovationskraft unserer Entwicklungsarbeit, in die wir unsere Kunden stets einbeziehen."

Mit dem AIX G5+-Reaktor bietet AIXTRON ein zukunftsfähiges Paket für die bewährte G5 HT-Plattform zur Herstellung von GaN-auf-Silizium basierten Bauteilen. Sie ist derzeit die größte Multi-Wafer-Anlage für 5x200 mm-Wafer am Markt. Hersteller wie das US-amerikanische Unternehmen Transphorm, das seine Produktivität durch Umstellung von 150 auf 200 mm Wafer steigern will, setzen auf AIXTRONs GaN-auf-Si-Expertise und nutzen die Skalierungseffekte der prämierten Anlage.

Bei der Entwicklung von GaN-auf-Siliziumprozessen sind bekanntlich verschiedene Hürden zu überwinden. Hier wartet die G5+ mit neuen Technik-Features auf: einem verbesserten Temperatur-Management, einem neuen Gaseinlass und einem besonderen Verfahren zur Prozesskammerreinigung. Gleichzeitig wird die Waferkrümmung minimiert und die Kontamination der Substratoberfläche beseitigt. All dies führt zu stabilen Prozessen und sehr guter Homogenität auf allen fünf Wafern, die zusätzlich mit einem neu entwickelten Homogenitätsmuster erreicht wird.