20. September 2011 | Verbindungshalbleiter

Infinera entwickelt Photonikschaltkreise nächster Generation mit AIXTRON Anlage

Das kalifornische Unternehmen Infinera, ein Neu-Kunde der AIXTRON SE, hat im ersten Quartal 2011 eine AIX 2600G3 IC MOCVD1-Anlage bestellt. Nach der Auslieferung im laufenden Quartal will das Unternehmen Indiumphosphid (InP)- Photonikschaltkreise (PICs2) der nächsten Generation herstellen. Die Anlage ist für Waferkonfigurationen von 49x2-, 12x4- oder 7x6-Zoll ausgelegt.

Ein Serviceteam von AIXTRON Inc. wird die Anlage in Infineras PIC-Entwicklungsstandort in Sunnyvale, CA, USA in Betrieb nehmen.  „Wir haben nach dem optimalen MOCVD-System gesucht, das uns die Grundlage für die Herstellung und Skalierung der nächsten Generation PICs liefert", sagt Dr. Fred Kish, Senior Vice President der Optical Integrated Circuit Group bei Infinera. „Die AIXTRON Anlage wird nicht nur für die Entwicklung, sondern auch die Herstellung unserer InP-Schaltkreise von großer Bedeutung sein." Bei der Entscheidung hätten unterschiedliche Gründe eine Rolle gespielt – nicht zuletzt die Tatsache, dass AIXTRON als führender Anbieter mit den leistungsfähigsten Anlagen im Markt gilt. AIXTRON Technologie stehe für präzise Prozesskontrolle, homogenes Schichtenwachstum, Skalierbarkeit und hohe Zukunftssicherheit. Dies – in Verbindung mit dem hervorragenden Service – habe Infinera davon überzeugt, dass die AIX 2600G3 IC alle Anforderungen zweifellos erfüllt.

Infinera bietet weltweit digitale optische Netzwerk-Systeme für Telekommunikationsunternehmen an. Einzigartig an diesen Systemen ist eine innovative Halbleitertechnologie auf Grundlage von integrierten photonischen Schaltkreisen – kurz „PIC" für „Photonic Integrated Circuits."

Die PICs sind in der Lage, über sechzig photonische Funktionen auf nur zwei Halbleiterchips zu integrieren. Damit nimmt Infinera im Markt für optische Netzwerklösungen eine Schlüsselposition im Bereich der DWDM3-Systeme mit hoher optischer Reichweite ein. Systeme und PIC-Technologie von Infinera ermöglichen einfachere Architekturen und einen flexibleren Betrieb von optischen Netzwerken sowie die schnellere Einführung von differenzierten Diensten. Erst kürzlich hatte Infinera neuartige 500 GBit/s-PICs und 1 TBit/s4 erzeugt, die mehr als 600 einzelne Funktionen monolithisch integrieren und auf zwei InP-Chips untergebracht werden können.

1 MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition =  Metall-organische Gasphasenabscheidung
2 PIC, Photonic Integrated Circuit = Photonisch integrierter Schaltkreis
3 DWDM, Dense Wavelength Division Multiplexing = Wellenlängenmultiplex
4 GBit/s = Gigabit/sek; TBit/s = Terabit/sek

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®

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