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- Guido Pickert, Vice President, Investor Relations

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14. Dezember 2021 | Pressemeldungen

AIXTRON sagt YESvGaN / Epitaxie-Spezialist AIXTRON ist Partner im EU-Forschungsprojekt YESvGaN / Hohe Energieeffizienz und niedrige CO2-Emissionen durch GaN-Leistungstransistoren

DGAP-Media / 14.12.2021 / 10:09 AIXTRON sagt YESvGaNEpitaxie-Spezialist AIXTRON ist Partner im EU-Forschungsprojekt YESvGaN / Hohe elektrische Leistungsfähigkeit von Halbleitern mit großem Bandabstand zu niedrigen Kosten wie in der Silizium-Industrie / Hohe Energieeffizienz und niedrige CO2-Emissionen

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08. Dezember 2021 | Pressemeldungen

EU-Projekt TRANSFORM: AIXTRON treibt die grüne Wirtschaft voran / Aufbau einer nachhaltigen Siliziumkarbid-Lieferkette in Europa im Rahmen des EU-Projekts TRANSFORM

DGAP-Media / 08.12.2021 / 11:07 EU-Projekt TRANSFORM: AIXTRON treibt die grüne Wirtschaft voranAufbau einer nachhaltigen Siliziumkarbid-Lieferkette in Europa im Rahmen des EU-Projekts TRANSFORM / Zusammenarbeit von 34 führenden Spezialisten der SiC-Technologie / Energieeinsparung von bis zu 30% erwartetHerzogenrath,

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06. Dezember 2021 | Pressemeldungen

AIXTRON unterstützt Nachwuchswissenschaftler bei der Erforschung zukünftiger Halbleiter-Quantenbauelemente / Neues EU-Doktorandenprogramm

DGAP-Media / 06.12.2021 / 09:03 AIXTRON unterstützt Nachwuchswissenschaftler bei der Erforschung zukünftiger Halbleiter-QuantenbauelementeAIXTRON ist Partner des neuen EU-Doktorandenprogramms QUANTIMONY / Forschungsschwerpunkt antimonhaltige Halbleitermaterialien und -bauelemente / Optoelektronische-,

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02. Dezember 2021 | Pressemeldungen

Nexperia setzt beim Einstieg in den SiC-Markt auf AIXTRON- Anlagen / Hochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern

DGAP-Media / 02.12.2021 / 16:40 Nexperia setzt beim Einstieg in den SiC-Markt auf AIXTRON- AnlagenHochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern / AIX G5 WW C-System erfüllt hohe Qualitätsansprüche der SiC-LeistungselektronikHerzogenrath, 2. Dezember

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