03. Juli 2012 | Siliziumhalbleiter

AIXTRON liefert neue ALD-Anlagengeneration QXP-8300 an namhaften Kunden aus Korea

AIXTRON SE, führender Anbieter von Beschichtungsanlagen und -lösungen für die Halbleiterindustrie, hat von einem namhaften koreanischen DRAM-Hersteller einen Auftrag über mehrere QXP-8300 ALD*-Anlagen erhalten. Die QXP-8300 für DRAM-Speicherchips mit Strukturgrößen unter 30 nm wird wertvolle Unterstützung bei der Massenproduktion fortschrittlichster DRAM-Technologie leisten.

„Die AIXTRON QXP-8300 hat sich aufgrund ihrer erstklassigen Filmqualität und Produktivität sowie der geringen Defektdichte gegenüber vergleichbaren ALD-Produkten durchgesetzt“, so Dr. Sasangan Ramanathan, Chief Technical Officer bei AIXTRON Inc. Dieser Auftrag bestätige das Vertrauen unserer Kunden in AIXTRONs ausgezeichnete Produktqualität und Technologieführerschaft.

AIXTRON COO und Vorstandsmitglied Dr. Bernd Schulte ergänzt: „Wir freuen uns, dass dieser führende koreanische Chiphersteller sich in der äußerst anspruchsvollen DRAM-Herstellung für die QXP-8300 entschieden hat, und unterstützen ihn gerne beim weiteren Ausbau seiner Produktionskapazitäten.”

*ALD = Atomic Layer Deposition - Atomlagenabscheidung

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®

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