06. Juli 2011 | Finanznachrichten

AIXTRON bringt größte MOCVD-Anlage für GaN-LEDs auf den Markt


AIXTRON SE / Schlagwort(e): Produkteinführung/Sonstiges

06.07.2011 / 08:20

AIXTRON bringt größte MOCVD-Anlage für GaN*-LEDs auf den Markt

Aachen, 6. Juli 2011 - AIXTRON setzt einen neuen Maßstab für MOCVD**-Anlagenkapazität, Durchsatz und LED-Produktionskosten.

Durch die Einführung der neuen AIXTRON CRIUS(R) II-L Anlage mit der weltweit größten MOCVD-Reaktorkapazität können Kunden nun zwischen einer Waferkonfiguration von 16x4-Zoll oder 69x2-Zoll wählen. Diese neue Reaktorentwicklung basiert auf der in 2010 sehr erfolgreich eingeführten und im Markt erprobten CRIUS(R) II Plattform, auf die die Kunden ihre qualifizierten und effizienten LED-Prozesse bereits reibungslos transferieren konnten.

'Die Senkung der Produktionskosten ist das ausschlaggebende Kriterium in der LED-Industrie, besonders in Hinblick auf die Kostenreduktion der LED-Beleuchtung. Wir haben die MOCVD relevanten Produktionskosten analysiert und festgestellt, dass die Reaktorkapazität als Schlüsselparameter die Betriebskosten am meisten beeinflusst', erklärt Dr. Rainer Beccard, Vice President Marketing bei AIXTRON.

'Der weltgrößte Reaktor der neuen CRIUS(R) II-L Anlage ist derzeit einzigartig und führt, im Produktionsbetrieb getestet, zu einer schnelleren Reduzierung der LED-Chipkosten. Neben unübertroffener Kapazität und Durchsatz bietet die Anlage aufgrund ihrer erstklassigen Homogenität und Reproduzierbarkeit außerordentliche Ausbeute.' Das Design des CRIUS(R) II-L Reaktors sei für Wafergrößen von 2- bis 8-Zoll optimiert und biete noch weiteres Potential zur Steigerung der Produktivität, so Dr. Beccard.

Wie auch die Vorgänger-Generationen basiert die CRIUS(R) II-L Anlage auf dem Close Coupled Showerhead(R) (CCS)-Konzept, die Schlüsseltechnologie, die sich durch reibungslosen und schnellen Prozesstransfer bewährt hat. Über die Jahre hat sich die in vielen Märkten etablierte CCS-Technologie eine exzellente Anerkennung erarbeitet und ist besonders für ihre direkte Prozesssteuerung, die gleichbleibend stabilen Prozesse und ausgezeichneten Eigenschaften der LEDs bekannt.

* GaN LEDs, gallium nitride LEDs = Galliumnitrid LEDs
** MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Kontakt:
Guido Pickert

Investor Relations and Corporate Communications
AIXTRON SE, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany
Phone: +49 241 8909 444, Fax: +49 241 8909 445, invest@aixtron.com
www.aixtron.com

1

Forward-Looking Statements

This document may contain forward-looking statements regarding the business, results of operations, financial condition and earnings outlook of AIXTRON within the meaning of the safe harbor provisions of the US Private Securities Litigation Reform Act of 1995. These statements may be identified by words such as 'may”, 'will”, 'expect”, 'anticipate”, 'contemplate”, 'intend”, 'plan”, 'believe”, 'continue” and 'estimate” and variations of such words or similar expressions. These forward-looking statements are based on our current views and assumptions and are subject to risks and uncertainties. You should not place undue reliance on these forward-looking statements. Actual results and trends may differ materially from those reflected in our forward-looking statements. This could result from a variety of factors, such as actual customer orders received by AIXTRON, the level of demand for deposition technology in the market, the timing of final acceptance of products by customers, the condition of financial markets and access to financing for AIXTRON, general conditions in the market for deposition plants and macroeconomic conditions, cancellations, rescheduling or delays in product shipments, production capacity constraints, extended sales and qualification cycles, difficulties in the production process, the general development in the semi-conductor industry, increased competition, fluctuations in exchange rates, availability of public funding, fluctuations and/or changes in interest rates, delays in developing and marketing new products, a deterioration of the general economic situation and any other factors discussed in any reports or other announcements field by AIXTRON with the U.S. Securities and Exchange Commission. Any forward-looking statements contained in this document are based on current expectations and projections of the executive board and on information currently available to it and are made as at the date hereof. AIXTRON undertakes no obligation to revise or update any forward-looking statements as a result of new information, future events or otherwise, unless expressly required to do so by law.



Ende der Corporate News


06.07.2011 Veröffentlichung einer Corporate News/Finanznachricht, übermittelt durch die DGAP - ein Unternehmen der EquityStory AG.
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.

Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen.
Medienarchiv unter http://www.dgap-medientreff.de und http://www.dgap.de



131007  06.07.2011

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®

Ihr Ansprechpartner

Investor Relations

Carsten Werle

Director Investor Relations (Interim)

Tel: +49 (2407) 9030-8815

E-Mail senden

Service

AIXTRON SE (Headquarters)

AIXTRON 24/7 Technical Support Line

AIXTRON Europe

AIXTRON Ltd (UK)

AIXTRON K.K. (Japan)

AIXTRON Korea Co., Ltd.

AIXTRON Taiwan Co., Ltd. (Main Office)

AIXTRON Inc. (USA)

Produkte

Vincent Meric
Vice President Marketing

Karriere

Laura Preinich
Recruiter

Tom Lankes
Talent Acquisition Expert - Ausbildungsleitung

Nachhaltigkeit 

Christoph Pütz
Senior Manager ESG & Sustainability

Unternehmen & Investor Relations

Carsten Werle
Director Investor Relations (Interim)

Forschung & Entwicklung

Prof. Dr. Michael Heuken
Vice President Advanced Technologies

Presse & Öffentlichkeitsarbeit

Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications