DEPOSITIONSANLAGE FÜR VERBINDUNGSHALBLEITER

AIX G5 WW

“SiC VPE-Reaktor verbindet die Leistungsfähigkeit einer Einzelwafer-Anlage mit den Kostenvorteilen eines Mehrscheibenreaktors“

Vorteile

  • Beste Epitaxie-Schichtdicke und Doping-Homogenitätskontrolle
  • Hohe Wachstumsrate
  • Höchste Ausbeute
  • Hochmoderne Siliziumkarbid-Basisprozesse für Epitaxiestrukturen in Leistungselektronik-Bauelementen
  • Niedrigste Produktionskosten

Produkteigenschaften

  • Einzigartiger horizontal durchströmter Planetenreaktor – integriert beste Gleichmäßigkeit und höchsten Wirkungsgrad für ein optimales Abgaswartungsmanagement
  • Vollständig mit Siliziumkarbid beschichtete Prozesskammer aus Graphit ermöglicht sehr geringe Partikelanzahl
  • Dreifache Prozessgaseinspritzung - Maximale Prozesskontrolle und Ausbeuteoptimierung
  • Einzelrotation der Wafer – Kombination der Produktivität einer Mehrscheiben-Prozesskammer mit der Leistungsfähigkeit eines Einzelwafers
  • Fähigkeit zur In-situ-Temperaturmessung auf dem Wafer
  • Ab Q4/2018: Automatisiertes Laden von Wafern unter hohen Temperaturen – Erhöhung des Wafer-Durchsatzes mittels schneller Temperaturwechsel

Konfigurationen

  • 12x100 mm
  • 8x150 mm

AIX G5 WW - Reaktormodul

Ihr Ansprechpartner

Product Management

Dr. Jens Voigt

Director