02. Dezember 2021 | Pressemitteilung

Nexperia setzt beim Einstieg in den SiC-Markt auf AIXTRON- Anlagen

Hochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern / AIX G5 WW C-System erfüllt hohe Qualitätsansprüche der SiC-Leistungselektronik

 

Herzogenrath, 2. Dezember 2021 – Der Experte für Halbleiterbauelemente Nexperia setzt beim Einstieg in den Markt für Hochleistungs-SiC-Bauelemente auf die Produktionstechnologie von AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6). Für die Serienproduktion der Siliziumkarbid-Epi-Wafer für SiC-Leistungsbauelemente benötigt Nexperia eine auch bei hohen Stückzahlen gleichbleibend exzellente Qualität der Epi-Wafer. Gleichzeitig können die Kosten in der Fertigung der SiC-Bauelemente durch den hohen Durchsatz reduziert werden.

Als einer der führenden Experten auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen plant Nexperia nach dem Eintritt in den SiC-Dioden-Markt die kontinuierliche Erweiterung seines Portfolios an Siliziumkarbid-Bauteilen. AIXTRON, einer der führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, erfüllt mit der vollautomatischen AIX G5 WW C-Plattform die hohen Qualitätsansprüche an die Siliziumkarbid-Wafer für die Leistungselektronik.

Die AIX G5 WW C – Die Referenz für die SiC-Materialherstellungstechnologie  

„Wide-Band-Gap-Halbleiter wie Galliumnitrid und Siliziumkarbid verfügen über einzigartige physikalische Eigenschaften. Sie ermöglichen eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei niedrigeren System- und Betriebskosten. Auch die SiC-Technologie ist jetzt so weit fortgeschritten, dass sie die strengen Anforderungen bei der Massenproduktion von Bauelementen für moderne Konsum- und Industriegüter erfüllt. Deshalb ist jetzt die Zeit reif für unseren nächsten strategischen Schritt, die Erweiterung unseres Portfolios um Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von Siliziumkarbid“, sagt Mark Roeloffzen, General Manager der Bipolar Discretes Group bei Nexperia.

Er fügt hinzu: „Dabei decken wir künftig im Bereich der Hochleistungsbauelemente auch die Wertschöpfungsstufe der Epi-Wafer-Produktion ab. Für diesen wichtigen Meilenstein wissen wir mit AIXTRON den richtigen Partner an Nexperias Seite.“

Seit Jahrzenten arbeitet AIXTRON mit führenden Instituten und Industriepartnern weltweit an der Nutzung der Vorteile neuer Verbindungshalbleiter-Materialklassen wie SiC und GaN für die Leistungselektronik und erschließt mit neuesten Produktionstechnologien auch die Nutzung von 200mm-Wafern.

Der Planetary Reactor® der neuesten Generation von AIXTRON ist speziell auf die sehr hohen Anforderungen der SiC-Leistungselektronik zugeschnitten. Die Anlage sichert die notwendige exzellente Qualität der Epitaxie-Schichten auf den Wafern und wurde deshalb von Marktführern im Bereich Siliziumkarbid für die Fertigung von SiC-Bauelementen qualifiziert.

SiC-Leistungselektronik für die Anwendungen der Zukunft

„Nexperia positioniert sich zum richtigen Zeitpunkt in einem der spannendsten Wachstumsmärkte in der Halbleiterindustrie. Wir freuen uns, dass sich Nexperia für uns als Partner bei diesem wichtigen strategischen Schritt in einen neuen Zukunftsmarkt entschieden hat. Die Leistungseigenschaften der Materialklassen Siliziumkarbid und Galliumnitrid bieten mit ihrem hohen Wirkungsgrad ein höchst attraktives Potenzial für Energieeinsparung, Wärmereduzierung, Gewichts- und Anlagengrößenreduzierung und damit geringere Gesamtsystemkosten“, sagt Dr. Felix Grawert, Vorsitzender des Vorstands von AIXTRON SE.

„SiC- und GaN-Halbleiter bieten im Vergleich zu konventioneller Leistungselektronik auf Basis von Silizium-Wafern eine höhere Energieeffizienz in der Anwendung und tragen dadurch erheblich zu einem geringeren CO2-Ausstoß bei. Die Eigenschaften der Materialien prädestinieren sie insbesondere für die Anwendungen in Elektrofahrzeugen und deren Ladestationen, Rechenzentren oder im Bereich der Erneuerbaren Energien wie Solar- und Windkraftanlagen“, fügt Dr. Felix Grawert hinzu.     

Zu Beginn des Jahres hatte Nexperia bereits begonnen, sowohl in die Erweiterung seiner Produktionskapazitäten als auch in Forschung und Entwicklung weltweit umfangreich zu investieren. Im Rahmen der globalen Wachstumsstrategie sind für Europa in diesem Jahr u.a. Effizienzsteigerungen bei der Produktion und die Implementierung neuer 200mm-Technologien in den europäischen Wafer-Fabriken in Hamburg, Manchester und Newport geplant. In Hamburg investiert das Unternehmen in neue Technologien für die Erweiterung seines „Wide-Band-Gap“-SiC-Leistungsbauelemente-Angebots.  

Zum Download von Fotos klicken Sie bitte hier: AIXTRON und Nexperia

 

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