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| Verbindungshalbleiter

Führender Halbleiterhersteller entscheidet sich für AIXTRONs AIX 2800G4-TM Anlage

AIXTRON-Planetentechnologie unterstützt Produktionsausweitung zur Bedienung der aktuellen Marktnachfrage für 150 mm IR-Hochleistungslaser und -LEDs

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt heute bekannt, dass OSRAM Opto Semiconductors eine AIX 2800G4-TM Planetenanlage des Unternehmens für die Herstellung von Infrarot-basierten Hochleistungslasern und -LEDs auf Basis von Galliumarsenid (GaAs) erworben hat. Mit dem Erreichen dieses Meilensteins unterstützt AIXTRON den Kapazitätsausbau bei einem der führenden Lieferanten von qualitativ hochwertigen opto-elektronischen Halbleitern zur Nutzung in einer wachsenden Anzahl von Anwendungen, vor allem in den Bereichen Automobil und Kommunikation. Die Anlage besitzt eine Konfiguration von 8x6-Zoll und wurde im zweiten Quartal 2017 in Betrieb genommen.

„Wir freuen uns sehr, dass sich OSRAM Opto Semiconductors für unsere Plattform AIX 2800G4-TM zur Produktion von Bauelementen für Hochleistungslaser und -LEDs entschieden hat. Ihr Vertrauen in unsere AIX 2800G4-TM Anlage ist die Bestätigung für unsere Strategie, sich auf Lösungen für anspruchsvollste Anwendungen zu konzentrieren bei denen höchste Prozessleistungsfähigkeit zwingend erforderlich ist, um die Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Aufbauend auf der jüngst erfolgten Qualifizierung unserer AIX G5 C Anlage sowie mit dem Erreichen dieses wichtigen Meilensteins auch für die AIX 2800G4-TM, freuen wir uns auf die weitere Vertiefung unserer Partnerschaft mit einem der innovativsten Halbleiterproduzenten der Welt“, erklärt Dr. Frank Schulte, Vice President AIXTRON Europe.