Unsere Anlagen – sind eine sichere Anlage.

Der Vorstand der AIXTRON SE

Unsere Marktkompetenz ist Ihr Erfolgsrezept

Mehr als 2.000 Depositionsanlagen hat AIXTRON bis heute an Kunden in aller Welt geliefert, Technologien weiterentwickelt und die Position am Markt damit gefestigt. Seit jeher stellt unsere umfangreiche Expertise und langjährige Erfahrung in der Abscheidung komplexer Halbleitermaterialien die Basis für den Erfolg unserer Kunden dar.

  • Produktionsanlagen

    • Verbindungshalbleiter

      MOCVD

      Bei dieser Produktionsmethode werden die Ausgangsstoffe – metall-organische Verbindungen – in Gase umgewandelt und in einem Trägergas nach und nach in den Reaktor eingeleitet. Dort entstehen in einer komplexen chemischen Reaktion dünne Halbleiterschichten. Die eingeführten Gase sind hochrein und lassen sich hervorragend dosieren, wodurch eine genaue Steuerung des Schicht­wachstums ermöglicht wird.

      Planetary Reactor

      Der Planetary Reactor basiert auf dem Prinzip eines horizontalen Laminarflussreaktors. Das Laminarfluss-Prinzip gewährleistet schärfste Übergänge zwischen verschiedenen Materialien und eine unvergleichliche Steuerung der Abscheideraten im Bereich einzelner Atomlagen.

      Close Coupled Showerhead

      Bei dieser Technologie werden die prozessrelevanten Gase durch die wassergekühlte Showerhead-Oberfläche vertikal über der gesamten Beschichtungsfläche in den Reaktor eingelassen. Der Gaseinlass ist so konzipiert, dass die einzelnen Gase durch viele schmale Röhrchen im Einlass getrennt sind. Diese Technologie gewährleistet eine unübertroffene Reproduzierbarkeit.

      SiC Planetary Reactor

      Siliziumkarbid zeichnet sich durch Halbleitermaterialeigenschaften aus, die vor allem in Leistungsgleichrichtern sowie Schaltern zur Umwandlung und Verteilung von elektrischer Energie vorteilhaft sind. Mit dem skalierbaren Planetenreaktor lassen sich mehrere 4-, 6-Zoll oder 200mm SiC-Wafer gleichzeitig beschichten.

    • Siliziumhalbleiter

      ALD

      Die Atomlagenabscheidung ist ein Verfahren zur Herstellung ultradünner Schichten für Halbleiter-Bauelemente und zukünftige Nicht-Halbleiter-Anwendungen.

      CVD/(PE)CVD

      Bei diesem Verfahren erfolgt die Abscheidung dünner Schichten durch chemische Reaktionen, indem die Wafer einem Gasgemisch ausgesetzt werden, das auf der Wafer-Oberfläche reagiert. Zusätzlich kann der Prozess durch ein Plasma unterstützt werden.

    • Organische Halbleiter

      OVPD

      OVPD (Organic Vapor Phase Deposition) ist eine innovative Technologie für die Dünnschichtabscheidung von organischen „kleinen Molekülen“ auf dem Prinzip des Gasphasentransports. Durch die Kombination mit AIXTRONs patentierter Close Coupled Showerhead Technologie ist das Verfahren frei skalierbar und für beliebige Substratgrößen einsetzbar. Der Gas­phasen­trans­port erlaubt gegenüber konventionellen Verdampfungsverfahren eine präzisere Kontrolle der Abscheideraten und somit die flexiblere Herstellung komplexer Strukturen.

      PVPD

      PVPD (Polymer Vapor Phase Deposition) ist eine Technologie für die kontrollierte Abscheidung und In-situ-Vernetzung von polymerbasierten Dünnschichtstrukturen aus der Gasphase.

      Durch die Kombination mit AIXTRONs geschützter Close Coupled Showerhead Technologie ist das Verfahren frei skalierbar und für beliebige Substratgrößen einsetzbar. Der Gasphasen­transport erlaubt gegenüber konventionellen lösungsmittel­basierten Ansätzen eine präzisere Kontrolle der Abscheideraten und somit z.B. die Herstellung neuer Materialien durch gezielte Ko-Polymerisation.

    • Nanotechnologie

      (PE)CVD

      Bei diesem Verfahren erfolgt die Abscheidung dünner Schichten durch chemische Reaktionen, indem die Wafer einem Gasgemisch ausgesetzt werden, das auf der Wafer-Oberfläche reagiert. Zusätzlich kann der Prozess durch ein Plasma unterstützt werden.

  • F&E Anlagen

    • Verbindungshalbleiter

      MOCVD

      Bei dieser Produktionsmethode werden die Ausgangsstoffe – metall-organische Verbindungen – in Gase umgewandelt und in einem Trägergas nach und nach in den Reaktor eingeleitet. Dort entstehen in einer komplexen chemischen Reaktion dünne Halbleiterschichten. Die eingeführten Gase sind hochrein und lassen sich hervorragend dosieren, wodurch eine genaue Steuerung des Schicht­wachstums ermöglicht wird.

    • Siliziumhalbleiter

      ALD

      Die Atomlagenabscheidung ist ein Verfahren zur Herstellung ultradünner Schichten für Halbleiter-Bauelemente und zukünftige Nicht-Halbleiter-Anwendungen.

      (PE)CVD

      Bei diesem Verfahren erfolgt die Abscheidung dünner Schichten durch chemische Reaktionen, indem die Wafer einem Gasgemisch ausgesetzt werden, das auf der Wafer-Oberfläche reagiert. Zusätzlich kann der Prozess durch ein Plasma unterstützt werden.

    • Organische Halbleiter

      OVPD

      OVPD (Organic Vapor Phase Deposition) ist eine innovative Technologie für die Dünnschichtabscheidung von organischen „kleinen Molekülen“ auf dem Prinzip des Gasphasentransports. Durch die Kombination mit AIXTRONs patentierter Close Coupled Showerhead Technologie ist das Verfahren frei skalierbar und für beliebige Substratgrößen einsetzbar. Der Gas­phasen­trans­port erlaubt gegenüber konventionellen Verdampfungsverfahren eine präzisere Kontrolle der Abscheideraten und somit die flexiblere Herstellung komplexer Strukturen.

      PVPD

      PVPD (Polymer Vapor Phase Deposition) ist eine Technologie für die kontrollierte Abscheidung und In-situ-Vernetzung von polymerbasierten Dünnschichtstrukturen aus der Gasphase.

      Durch die Kombination mit AIXTRONs geschützter Close Coupled Showerhead Technologie ist das Verfahren frei skalierbar und für beliebige Substratgrößen einsetzbar. Der Gasphasen­transport erlaubt gegenüber konventionellen lösungsmittel­basierten Ansätzen eine präzisere Kontrolle der Abscheideraten und somit z.B. die Herstellung neuer Materialien durch gezielte Ko-Polymerisation.

    • Nanotechnologie

      CVD/(PE)CVD

      Bei diesem Verfahren erfolgt die Abscheidung dünner Schichten durch chemische Reaktionen, indem die Wafer einem Gasgemisch ausgesetzt werden, das auf der Wafer-Oberfläche reagiert. Zusätzlich kann der Prozess durch ein Plasma unterstützt werden.

Unsere eingetragenen Warenzeichen

AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level SolutionS®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, Gas Foil Rotation®, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, TriJet®