Press Release 

 

Ruhr-Universität Bochum entscheidet sich für Atomic Vapor Deposition (AVD®)

Aachen / Bochum, 4. Oktober, 2004 - AIXTRON AG (FSE: AIX; ISIN DE0005066203), ein führender Anbieter von Epitaxieanlagen für Verbindungs-Halbleiter, gab heute den Verkauf eines Entwicklungsreaktors an die Ruhr-Universität Bochum bekannt, der die Schlüsselkomponenten der Atomic Vapor Deposition (AVD®)-Technologie von AIXTRON enthält.

Das System wird für die Entwicklung von neuen Ausgangsstoffen für die Abscheidung von high-k Dielektrika und hochentwickelten Elektrodendünnschichten sowie für die Charakterisierung der physikalischen Eigenschaften solcher Schichten eingesetzt. Das AIX 200FE-System wird in den Reinräumen des Instituts für anorganische Chemie II unter der Leitung von Professor Dr. Roland A. Fischer und Jun. Prof. Dr. Anjana Devi installiert. Seine Gruppe arbeitet gezielt an der Entwicklung neuer metallorganischer Ausgangsstoffe sowie der Erforschung ihrer Eignung für verschiedene Methoden der Gasphasenabscheidung. Die Ruhr-Universität und AIXTRON haben einen Laborvertrag für Forschung und Demonstration abgeschlossen, wonach beide Seiten gemeinsam an der Entwicklung metallorganischer Ausgangsstoffe für high-k Dielektrika und Elektrodenmaterialien sowie an der Verwendung dieser Stoffe bei einem AVD®-Dünnschichtabscheidungs-Prozess arbeiten werden.

Die Hauptanwendungen für high-k Dielektrika und hochentwickelten Elektrodenmaterialien sind CMOS-Transistoren, dynamische Speicher (DRAMs) und integrierte Kondensatoren. High-k Materialien dürften Siliziumdioxid als isolierendes Steuer-Dielektrikum ablösen und eine höhere Transistorleistung bei deutlich reduziertem Leckstrom ermöglichen. Gleichzeitig dürften Elektrodenmaterialien Polysilizium als Steuerelektrode im Transistor ersetzen. Dadurch lässt sich die Transistorgröße weiter jenseits der Siliziumstrukturgröße von 65 nm verringern. Praktisch die gleichen High-k und Elektrodenmaterialien werden in künftigen kapazitiven Strukturen für DRAM- und Hochfrequenz-Schaltkreisen verwendet. Mit diesen Materialien können die erforderlichen Kondensatorgrößen in kleineren Dimensionen erstellt werden, was eine größere Dichte der integrierten Schaltkreise ermöglicht und die Massenproduktionskosten deutlich senkt.

Das AIX 200FE-System ist mit AIXTRONs neuester Atomic Vapor Deposition Technologie für High-k und Elektrodenschichten auf kleinen Wafern für die Grundlagenforschung und die Prozessentwicklung ausgestattet. Es beinhaltet das präzise gesteuerte TriJet® System zur Injektion von flüssigen Ausgangsstoffen und deren kontaktloser Verdampfung. Das Trijet® System ermöglicht eine simultane gepulste Injektion von bis zu vier verschiedenen metallorganischen Ausgangsstoffen in das System. Es handelt sich um das flexibelste Einbringungssystem für CVD-Ausgangsstoffe auf dem Markt, das zudem die Abscheidung von Mehrkomponentenschichten mit einer in-situ stöchiometrischen Kontrolle durchführen kann. AIXTRON setzt die TriJet®-Komponente ebenfalls erfolgreich in seinen Tricent®-Produktionssystemen für die AVD® von High-k, Elektroden- und ferroelektrischen Materialien auf großen Siliziumwafern ein.

Über AIXTRON

AIXTRON AG (FSE: AIX; ISIN DE0005066203) ist ein führender Anbieter von Epitaxieanlagen für Verbindungs-Halbleiter. Die Produkte der Gesellschaft werden von einem breiten Kundenkreis weltweit genutzt, um leistungsstarke Halbleiter-Bauelemente wie HBTs, PHEMTs, MESFETs, Laser, LEDs, Detektoren und VCSELs herzustellen. Diese Bauelemente werden in Glasfaser-Kommunikationsnetzen, den mobilen Telefonie-Anwendungen, der optischen Datenspeicherung, der Beleuchtungs-, Signal- und Lichttechnik sowie einer Reihe von anderen High-Tech-Anwendungen eingesetzt. Die Aktie der AIXTRON AG ist im Prime Standard der Frankfurter Wertpapierbörse notiert und im TecDAX sowie im MSCI World Index vertreten. Weitere Informationen über AIXTRON finden Sie im Internet unter www.aixtron.com.

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Zukunftsgerichtete Aussagen

Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der "Safe Harbor"-Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe oder Aussagen wie "das Unternehmen kann", oder "das Unternehmen wird", "erwartet", "geht davon aus", "erwägt", "beabsichtigt", "plant", "glaubt", "fährt fort" und "schätzt", sowie ähnliche Begriffe und Aussagen kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Diese Aussagen sind keine Garantie dafür, dass getätigte Prognosen erreicht werden. Vielmehr sind diese Aussagen mit Risiken, Unsicherheiten und Annahmen verbunden, die schwierig vorherzusagen sind und basieren zudem auf Annahmen über künftige Ereignisse, die sich als unzutreffend erweisen können. Aus diesem Grunde können die tatsächlichen Ergebnisse von den hier geäußerten Annahmen wesentlich abweichen. In einer zukunftsgerichteten Aussage, in der AIXTRON Erwartungen oder Annahmen in Bezug auf künftige Ergebnisse zum Ausdruck bringt, werden diese Erwartungen oder Annahmen in gutem Glauben getroffen, und es ist davon auszugehen, dass diese auf einer angemessenen Grundlage beruht; es kann jedoch nicht gewährleistet werden, dass die Aussage, Erwartungen oder Annahmen eintreffen bzw. erreicht oder erfüllt werden. Das tatsächliche Betriebsergebnis kann wesentlich von diesen zukunftsgerichteten Aussagen abweichen und unterliegt bestimmten Risiken; dazu zählen Risiken in Verbindung mit: den tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträgen; dem Umfang der Marktnachfrage nach Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)-Technologie; dem Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Anlagen durch die Kunden; der Finanzlage und den Zugangsmöglichkeiten zu Finanzierungen; den allgemeinen Marktbedingungen für Dünnfilmbeschichtungs-Anlagen und dem makroökonomischen Umfeld; Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen; Einschränkungen der Produktionskapazität; lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen; Schwierigkeiten im Produktionsprozess; Änderungen im Wachstum der Halbleiterindustrie; Verschärfung des Wettbewerbs; Wechselkursschwankungen; Verfügbarkeit von Zuwendungen der öffentlichen Hand; Zinsschwankungen bzw. verfügbare Zinskonditionen; Verzögerungen bei der Entwicklung und Kommerzialisierung von neuen Produkten; schlechteren allgemeinen wirtschaftlichen Bedingungen als erwartet; und anderen Faktoren. Die in dieser Pressemitteilung enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen sind nur zu dem Datum gültig, an dem sie gemacht werden, und AIXTRON übernimmt keinerlei Verantwortung (und lehnt eine solche Verantwortung ausdrücklich ab), Erläuterungen zu aktualisieren, die erklären aus welchen Gründen tatsächliche Ergebnisse wesentlich von denen in den zukunftsgerichteten Aussagen gemachten Ergebnissen abweichen. Jegliche Referenz auf die AIXTRON Webseite stellt keinen Bezug durch Verweis auf diese Informationen in dieser Pressemitteilung dar, und eine solche Referenz sollte nicht als Bezug durch Verweis auf eine solche Information aufgefasst werden.

 

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