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Aachen / Leuven, 11. März, 2004 - Der deutsche Halbleiteranlagen-Hersteller AIXTRON AG freut sich mitteilen zu können, dass er eine Mehrkammer Atomic Vapor Deposition (AVD) - Tricent-Anlage für zukünftige CMOS Transistoranwendungen in IMEC's (Belgien) Reinraum für 300 mm Wafer installieren wird. Gleichzeitig wird AIXTRON damit neuer Kooperationspartner in IMEC's sub-45 Nanometer (nm) Forschungsprojekt.

Prozesstechnologien für zukünftige sub-45 nm Halbleiterbauelementstrukturen erfordern innovative Depositionsmethoden, um auch in Zukunft an vorderster Front der Halbleitertechnologien stehen zu können. Dies gilt im Besonderen für das Herzstück des Transistors - die Transistor-Gate-Schichtstruktur, im Bereich derer derzeit die meisten führenden Halbleiterhersteller enormen Forschungsaufwand betreiben, um die Grenzen der ständig fortschreitenden Miniaturisierung zu überschreiten.

IMEC's sub-45 nm Kooperationsprogramm im Bereich neuer high-k Dielektrika und metallischer Transistorgate-Elektroden adressiert gezielt Technologien, die dem heutigen Stand der IC-Produktion zwei oder drei Generationen voraus sind.

In diesem Zusammenhang freuen wir uns mitteilen zu können, dass AIXTRON eine dreijährige Forschungskooperation mit IMEC vereinbart hat. Die Arbeiten konzentrieren sich dabei auf Schichtabscheidungen mittels Atomic Vapor Deposition (AVD) neuer high-k Dielektrika und Metall-Gate Elektroden für innovative Transistorkonzepte.

Innerhalb dieser Forschungsarbeiten werden sowohl Metall-Gate-Strukturen auf Basis eines einzigen Metalls als auch Metall-Gate Strukturen auf Basis zweier verschiedener Elektrodenmaterialien untersucht.

Diese neue Partnerschaft bildet einen integralen und zentralen Teil der IMEC sub-45 nm Technologie-Entwicklung, welche in sehr enger Kooperation mit weltweit führenden Halbleiterherstellern durchgeführt wird.

Wichtige Meilensteine des gemeinsamen Projektes auf dem Gebiet der high-k Dielektrika und Metall-Gate Entwicklungen beinhalten:

• Die Implementierung von mehrkomponenten high-k Dielektrika mit Standard Polysilizium Gate Elektroden in planaren Bauelementstrukturen mit dem Ziel äquivalente SiO Schichtdicken (EOTs) im Bereich von 1-1.5 nm zu realisieren.
  
  
• Die Entwicklung alternativer mehrkomponenten Metalloxidverbindungen mit Dielektrizitätszahlen im Bereich von k~25-50 für EOTs bis 0.5 nm.
  
  
• Die Entwicklung optimierter Metallschichten für Einzel- oder Doppel-Metall-Transistor-Gate Anwendungen in hochintegrierten Bauelementen.
  
  
• Die Untersuchung physikalischer Grenzen bei der Skalierung planarer CMOS - Bauelemente mit Metall-Elektroden bei 20 nm Gate-Länge und EOT-Werten bis 0.5 nm.
  
  
• Die Abscheidung innovativer high-k Dielektrika und metallischen Gate-Elektroden auf Germanium - Substraten.

Im Rahmen dieses Projektes wird AIXTRON eine 200/300 mm CMOS Tricent Cluster Anlage in IMEC's neuer 300 mm Linie installieren. Diese Anlage wurde von AIXTRON speziell für die Anforderungen der sub-70 nm Halbleitertechnologie entwickelt. Teil dieser Cluster-Anlage ist ein Atomic Vapor Depositionsmodul (AVD) für die Abscheidung von isolierenden Gate-Dielektrika wie z. B. HfSixOy sowie ein AVD Modul für die Abscheidung innovativer Gate-Elektrodenmaterialien wie Ru, TiN und Ta(Si)N.

AIXTRON's patentgeschützte AVD-Technologie ermöglicht eine atomare Schichtdickenkontrolle bei gleichzeitig hoher Schichtwachstumsrate. Die AVD-Technologie basiert auf dem TriJet-Prinzip, der gepulsten Injektion von Ausgangssubstanzen. Dieses geschützte Verfahren ermöglicht die simultane Injektion unterschiedlicher Ausgangsubstanzen mit unerreichter Kontrolle der Zusammensetzung bei der Schichtabscheidung von multi-komponenten Materialien.

Weiterhin wird ein RTA- (Rapid Thermal Annealing) Modul Teil der Clusteranlage sein, welches ausgestattet mit Plasma-Nitridierungs- und Oxidationsmöglichkeiten, flexible Substrat Vor- und Nachbehandlung zur Grenzflächenstabilisierung zwischen den einzelnen Schichtdepositionsschritten ermöglicht.

"AIXTRON's flexible MOCVD-Technologie eröffnet eine umfassende Evaluierung verschiedenster Material-Kandidaten, um unsere Forschungsaktivitäten im Bereich der high-k Dielektrika und Metall-Gate Anwendungen nach vorne zu bringen," äußert Prof. Gilbert Declerck, Präsident und CEO von IMEC. "Die zwanzigjährige Erfahrung im Bereich der Anlagen- und Prozesstechnologie im III/V Verbindungshalbleitermarkt, die AIXTRON zusätzlich einbringt, qualifiziert AIXTRON damit als Schlüsselpartner in IMEC's Forschungsprogramm Germanium-basierender CMOS Bauelemente. Wir erachten diese Kooperation als einen ersten Schritt in Richtung einer ausgedehnten Kooperation im Bereich von Germanium-Bauelementen, in dem die profunde Expertise bei der Deposition von III/V-Verbindungshalbleitern absolut essentiell ist."

"Dieses Forschungsabkommen repräsentiert einen wichtigen Schritt in Richtung einer weiteren Stärkung von AIXTRON's Position, neue Schlüsseltechnologien im Bereich der Schichtabscheidung für zukünftige Halbleiteranwendungen liefern zu können. Durch die Partnerschaft mit IMEC, einer der führenden Forschungseinrichtungen dieser Industrie, wird AIXTRON an der vordersten Front grenzreichender MOCVD Prozess Technologie verbleiben - dieses aufbauend auf unsere zwanzigjährige Erfahrung im Bereich von Technologie-Lösungen für komplexe Materialien der High-Tech-Industrie. Die Professionalität und die technische Kompetenz des IMEC-Teams hat uns sehr beeindruckt, und wir freuen uns darauf, unser Wissen und unsere Erfahrung gemeinsam zu nutzen, um vereint Lösungen für Problemstellungen zu entwickeln, die diese neuen Materialien an uns stellen. Das Forschungsvorhaben wird ein weiterer komplementärer Baustein unserer high-k Entwicklungsaktivitäten sein, die im Rahmen des MEDEA T207 Projektes bei STMicroelectronics derzeit in Crolles (Frankreich) durchgeführt werden," sagt Tim McEntee, Vorstand Semiconductor Equipment, AIXTRON AG.

Über die Autoren:

IMEC

IMEC ist ein weltweit führendes, unabhängiges Forschungszentrum speziell fokussiert auf Nanoelektronik und Nanotechnologie. IMECs Forschungsarbeiten konzentrieren sich auf integrierte Halbleiterbauelemente der nächsten Generation sowie Schlüsseltechnologien für künstliche Intelligenz. Mit seinen Arbeiten schlägt IMEC eine Brücke zwischen konventioneller Grundlagenforschung an Universitäten und der Technologie-Entwicklung in der Industrie. Die einzigartige Balance zwischen Prozess und System Know-How, IP Portfolio, State of the Art Infrastruktur sowie einem engen Netzwerk von industriellen Partnern, Universitäten and Froschungeinrichtungen weltweit, positioniert IMEC in eine exzellente Ausgangsposition als Schlüsselpartner für gemeinsame Entwicklungen und Weiterentwicklungen von Technologien zukünftiger Systeme. IMEC's Hauptsitz ist in Leuven, Belgien mit Representanzen in den Vereinigten Staaten, China und Japan. Mit mehr als 1300 Mitarbeiten inklusive 380 industriellen Delegierten und Gastwissenschaftlern erzielte IMEC in 2003 einen Umsatz von EUR 145 Mio. Weitere Informationen über IMEC finden Sie unter www.imec.be.

AIXTRON AG

AIXTRON (FSE: AIX; ISIN DE0005066203) ist im Prime Standard sowie Tec-DAX der Deutschen Börse gelistet und im Dow Jones Sustainability Index World und dem MSCI World Index vertreten.

AIXTRON ist, wie von einem unabhängigen Marktforschungsinstitut ermittelt, der weltweit führende Anbieter von Anlagen zur Herstellung epitaktischer Halbleitermaterialien. AIXTRONs Anlagen werden von einem breit gefächerten Kundenkreis weltweit genutzt, um Hochleistungsbauelemente wie bspw. LEDs, Laser, VCSELs, Detektoren, HBTs, PHEMTs und MESFETs herzustellen. Diese Bauelemente werden in Glasfaser-Kommunikationsnetzen, in der mobilen Datenübertragung, in der optischen Datenspeicherung, in der Beleuchtungs-, Signal und Lichttechnik, sowie in einer Reihe von anderen High-Tech Anwendungen eingesetzt. Nachdem sich AIXTRON in der Vergangenheit hauptsächlich auf Verbindungshalbleiter-Anwendungen konzentrierte, erweitert es heute sein Produkt- Portfolio auch auf Schlüsseltechnologien im Bereich innovativer Materialien für zukünftige Halbleiteranwendungen. Bis zum heutigen Zeitpunkt hat AIXTRON mehr als 800 Anlagen weltweit installiert. Die AIXTRON AG (FSE: AIX ISIN DE0005066203) ist im Prime Standard sowie Tec-DAX der Deutschen Börse gelistet und MSCI World Index vertreten.

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