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Silizium Halbleiter
AIXTRON bietet im Bereich Siliziumhalbleiter verschiedene Prozess-Technologien von Atomic Layer Deposition (ALD) über Atomic Vapor Deposition (AVD) bis Chemical Vapor Deposition (CVD) an, die für die Produktion von Logikchips, DRAM-, eDRAM-, Flash- und MIM-Speichern sowie Dünnschichtleseköpfen benötigt werden. Kunden können zwischen verschiedenen AIXTRON- und Genus-Anlagen wählen.
 Gegenüberstellung von ALD, AVD und CVD
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Vorteile Produktionsbewährte Anlagenplattform Hervorragende Schichtqualität und –homogenität Hohe Produktivität bei gleichzeitig geringen Betriebskosten Lange Betriebsdauer in der Serienproduktion Bedienerfreundliche Handhabung und Wartung Erweiterbar auf 32nm und zukünftige Technologien
Vorteile - Leistungsfähige ALD-Schichten mit hervorragender Konformalität in tiefen DRAM-Strukturen
- Hoher Durchsatz an high-k Gate Dielektrika
- Gate Elektroden mit Bandkanten-Austrittsarbeiten
- Multikomponentenschichten (PZT, SBT und GST) für FeRAM und PRAM
- Hochwertige high-k Schichten für Flash, RF MIM und eDRAM
- Konforme ALD-Schichten für Dünnschichtleseköpfe
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Der Begriff AVD® ist ein eingetragenes Warenzeichen.
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English Version
