Fachbegriffe einfach erklärt.

Glossar

Abscheiden
Verbindungshalbleiter/Halbleiter-Bauelemente bestehen aus mehreren kristallinen Schichten. Abscheiden ist der korrekte Fachbegriff für das Aufbringen dieser Schichten auf einen Wafer.
Aktiengesetz
Das deutsche Aktiengesetz (AktG) regelt die Errichtung, die Verfassung, Rechnungslegung und Liquidation sowie die Hauptversammlung von Aktiengesellschaften und Kommanditgesellschaften auf Aktien.
ALD
Die Atomlagenabscheidung (engl. „Atomic Layer Deposition") ist ein Verfahren zur Herstellung hauchdünner Schichten für Halbleiter-Bauelemente und zukünftige Nicht-Halbleiter-Anwendungen. Durch die ALD-Technologie können Herstellungsanforderungen der nächsten Generation erfüllt werden, (45 Nanometer darunter). Das ALD-Verfahren funktioniert über das Pulsen und Ausspülen zweier Reaktanten zur Abscheidung von Schichten. Die Spülung erfolgt mit Hilfe von Trägergasen wie Argon oder Stickstoff.
Allgemeinbeleuchtung
Die Allgemeinbeleuchtung ist die einheitliche und gleichmäßige Ausleuchtung eines Raums. In diesem Zusammenhang wird auch der Begriff „Solid State Lighting" (Festkörperbeleuchtung) verwendet: So werden auch alle Leuchtkomponenten, die auf Halbleiterbasis arbeiten, bezeichnet. Hierzu gehören u.a. LEDs und OLEDs.
AVD®
Die Atomare Gasphasenabscheidung (engl. „Atomic Vapor Deposition”) bezeichnet eine Injektions- und Verdampfungstechnologie. Die Ausgangsmaterialien werden in flüssiger Form („Quellen“) über Injektoren direkt in den Blitzverdampfer gesprüht. Es können bis zu vier Injektoren, einer für jede Quelle, genutzt werden.
Backlighting
Siehe Hintergrundbeleuchtung
Bauelemente
Hierbei handelt es sich um die fertigen Produkte, die mit dem Verbindungs- oder Siliziumhalbleiterchip (Chip) als Kern entstehen, z.B. LEDs, Laser, Transistoren, Speicher- und Logikchips sowie Solarzellen.
Bonden
Ein Verbindungshalbleiterchip ist kein komplettes Bauelement. Zur Herstellung eines Bauelements z.B. einer LED muss eine Verbindung zu einer elektrischen Quelle über einen hauchdünnen Golddraht hergestellt werden – das Bonden.
Charakterisieren
Verbindungs- und Siliziumhalbleiter werden allesamt anhand komplexer physikalischer Messverfahren auf ihre Qualität getestet.
Chip
Die fertige Struktur eines Bauelements, das einen kleinen Teil eines kompletten Semiconductor-Wafers ausmacht.
Close Coupled Showerhead®
Bei dieser Technologie werden die prozessrelevanten Gase durch die wassergekühlte Showerhead-Oberfläche in den Reaktor eingelassen. Während des Beschichtungsprozesses ist der Abstand zwischen dem Showerhead und den Substraten sehr klein. Der Gaseinlass ist so konzipiert, dass die einzelnen Gase durch viele schmale Röhrchen im Einlass getrennt sind. Die Gase werden durch separate Öffnungen in die Reaktorkammer eingelassen, um eine sehr gleichmäßige Verteilung der Prozessgase zu erreichen.
Cluster Tool
Ein System, das mehr als ein Prozessmodul enthält. Dies ist besonders nützlich, wenn eine Reihe von Prozessen in Serie erfolgen soll. Ein Beispiel hierfür ist die Abscheidung eines vielschichtigen Metallfilms, bei dem jede Schicht in einem unterschiedlichen Modul (Kammer) abgeschieden wird. Cluster Tools sorgen für Kosten- und Raumersparnisse, auch wenn alle Prozessmodule identisch sind.
CMOS
Der komplementäre Metalloxid-Halbleiter (engl. „Complementary Metal Oxide Semiconductor") gehört zu den wichtigsten integrierten Schaltkreisen. Die CMOS-Technologie wird für Chips wie Mikroprozessoren, Microcontroller, statische RAMs und andere digitale Logikschaltungen verwendet. Die CMOS-Technologie wird außerdem für eine Vielzahl analoger Schaltkreise genutzt, wie Bildsensoren, Datenumwandler und hoch integrierte Sende-/ Empfangsgeräte für vielfältige Kommunikationszwecke.
Compliance
Compliance (auch Regelkonformität) steht für die Einhaltung von Gesetzen und Richtlinien in Unternehmen, aber auch von freiwilligen Kodizes. Die Gesamtheit der Grundsätze, Prozesse und Maßnahmen eines Unternehmens, zur Einhaltung bestimmter Regeln und damit zur Vermeidung von Regelverstößen in einem Unternehmen, wird als Compliance Management System bezeichnet und ist ein Teilbereich des Corporate Governance Systems.
Corporate Governance
Corporate Governance (deutsch: Grundsätze der Unternehmensführung) bezeichnet den Ordnungsrahmen für die Leitung und Überwachung von Unternehmen. Gute Corporate Governance gewährleistet verantwortliche, qualifizierte, transparente und auf den langfristigen Erfolg ausgerichtete Führung und soll so der Organisation selbst, ihren Eigentümern, und allen weiteren Interessengruppen dienen. Corporate Governance ist dabei sehr vielschichtig und umfasst obligatorische und freiwillige Maßnahmen: das Einhalten von Gesetzen und Regelwerken (siehe Compliance), das Befolgen anerkannter Standards und Empfehlungen sowie das Entwickeln und Befolgen eigener Unternehmensleitlinien.
CVD
Chemische Gasphasenabscheidung (engl. „Chemical Vapor Deposition") bezeichnet die Abscheidung dünner Filme (normalerweise Dielektrika/ Isolatoren) auf Siliziumscheiben; diese erfolgt, indem die Wafer einem Gasgemisch ausgesetzt werden, das auf der Wafer-Oberfläche reagiert. Die CVD kann bei mittleren bis hohen Temperaturen in einem Ofen oder CVD-Reaktor erfolgen, in dem die Wafer erhitzt werden, die Reaktorwände jedoch nicht. Bei der plasmagestützten CVD (PECVD) ist keine hohe Temperatur erforderlich, da die Reaktionsgase in einem Plasma zerlegt werden.
Deposition
Deposition (auch: Beschichtung) bezeichnet den Prozess, bei dem Gase in die Reaktorkammer eingebracht und auf die dort aufliegenden Wafer treffen. Je nach Beschichtungsprozess entstehen verschiedene elektronische und optoelektronische Bauelemente in der weiteren Fertigung. Dazu gehören LEDs, Laser, Solarzellen oder Transistoren.
Detektor
Ein Verbindungshalbleiter, der eingehendes Licht jeder Wellenlänge in elektrische Energie umwandeln kann. Detektoren werden für optische Kommunikationssysteme benötigt.
Die
Der englische Begriff für einen einzelnen Halbleiterchip, pl. engl.: dice
High-k-Dielektrikum
Ein Isolator, der Strom nicht leitet, zwischen Metallplatten platziert jedoch ermöglicht, dass diese Platten über elektrische Felder miteinander verbunden sind (dies wird als Kondensatorstruktur bezeichnet). Silizium-Dioxid und Silizium-Nitrid sind beliebte Isolatoren. Zur Erhöhung der Kapazität, also der Speicherleistung, werden Silizium-Dioxid und Nitrid durch Isolatoren ersetzt, die eine höhere dielektrische Konstante (k) haben. Durch die Erhöhung der dielektrischen Konstante wird die Kapazität erhöht.
Diode
Ein zweipoliges elektronisches Bauelement, das einen großen Stromfluss in nur eine Richtung ermöglicht. Dioden funktionieren als Gleichrichter, d.h. sie wandeln Wechsel- in Gleichstrom.
Display
Ein Display, ist ein elektronisches Bauelement zur Darstellung von Bildern und Text. Displays finden in vielfältigen Produkten der Industrie- und Unterhaltungselektronik ihren Platz, z.B. als Monitore in Digitalkameras, Handys oder Navigationsgeräten sowie in Flachbildfernsehern.
DRAM
Hierbei handelt es sich um einen flüchtigen Speicher, dessen Daten nach Unterbrechung der Stromversorgung nicht erhalten bleiben.
Elektronisches Papier
Elektronisches Papier (engl. Kurz „e-paper", „E-Paper" oder „ePaper" genannt) hat das Ziel, Drucksachen elektronisch nachzuempfinden. Sogenannte E-Book Reader (EBR) nutzen Anzeigen (Displays), die das Licht wie normales Papier reflektieren. Digital verfügbare Informationen wie etwa Texte oder Bilder werden dauerhaft angezeigt, ohne dass dafür Energie erforderlich ist. Auf Anforderung kann die Anzeige jedoch zu einem beliebigen Zeitpunkt geändert werden, wofür ein geringer Energieaufwand notwendig ist. Einige Fertigungstechniken erlauben es, elektronische Papierdisplays, ähnlich biegsam wie normales Papier, herzustellen.
Endfertigung
Die Fertigung und der Test der Chips, nachdem der Wafer den Reinraum verlassen hat. Dieser Begriff wird auch in Wafer-Fabs benutzt, um sämtliche Schritte zu bezeichnen, die im Zusammenhang mit der Verbindung zum Front-End-Transistor stehen.
Epitaxie
Das Aufbringen dünner, einzelner Schichten auf ein geeignetes Trägermaterial (Substrat), auf dem sie als Kristalle wachsen.
FeRAM
Der ferroelektrische Arbeitsspeicher (engl. „Ferroelectric Random Access Memory") ist ein nichtflüchtiger Computer-Speicherchip. In seinem Aufbau ähnelt er dem DRAM, der zurzeit in den meisten Hauptspeichern in Computern eingesetzt wird. Der FeRAM basiert auf einer ferroelektrischen Schicht, deren Speicherzustand auch nach Abschalten der Stromversorgung erhalten bleibt. Gleichzeitig erlaubt er Arbeitsgeschwindigkeiten, die nahe an denen von DRAMs liegen.
Flash-Speicher
Siehe NAND-Flash-Speicher
Gas Foil Rotation®
Die Waferträger in den MOCVD-Anlagen von AIXTRON drehen sich berührungslos auf Gaskissen und werden über gezielte Gasströmungen angetrieben.
Glovebox
Ein hermetisch abgedichtetes Gehäuse mit armlangen Handschuhen, die der Bediener nutzen kann, um von außen Arbeiten in diesem Gehäuse auszuführen. Diese Gehäuse schützen den geöffneten Reaktor vor Verschmutzung mit Sauerstoff oder Luftfeuchtigkeit und stellen somit u.a. die Reinheit im Epitaxieprozess sicher.
Halbleiter
Ein Material wie Silizium, dessen Leitfähigkeit zwischen dem eines Leiters und einem Isolator liegt. Seine Leitfähigkeit kann verändert werden, indem Fremdkörper (wie Bor oder Phosphor in Silizium) hinzugefügt werden.
Handelsgesetzbuch
Das Handelsgesetzbuch (HGB) enthält den Kern des Handelsrechts in Deutschland.
HBT
Der Bipolartransistor mit Heteroübergang (Heterojunction Bipolar Transistor) ist ein verbesserter Bipolartransistor, dessen Emittermaterial anders gewählt ist als das der Basis. Mit dieser Transistorarchitektur lassen sich Schaltfrequenzen von über 600 GHz erreichen. Weite Verbreitung hat dieser Typus deshalb beispielsweise in den Leistungsverstärkern von Mobilfunkgeräten gefunden.
Heizung
Beim MOCVD-Verfahren zur Herstellung von Verbindungshalbleitern werden die Ausgangsstoffe, wie Gase, innerhalb des Reaktors auf die Wafer aufgebracht. Damit Kristalle aufwachsen, müssen die Wafer erhitzt werden. Dies geschieht normalerweise mit Lampen oder Heizungssystemen, die auf Hochfrequenz-Induktion beruhen.
HEMT
Der Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (High Electron Mobility Transistor) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen. Er besteht aus Schichten verschiedener Halbleitermaterialien mit unterschiedlich großen Bandlücken. Häufig wird das Materialsystem Aluminium-Gallium-Arsenid/Gallium-Arsenid (AlGaAs/GaAs) verwendet. Der HEMT ist aufgrund der hohen Ladungsträgermobilität für Hochfrequenzanwendungen gut geeignet.
Hintergrundbeleuchtung
Die Komponenten zur Hinterleuchtung von LC-Bildschirmen (LCDs) und -anzeigen elektronischer Geräte werden als Hintergrundbeleuchtung (engl. „Backlighting") bezeichnet. Zur Hintergrundbeleuchtung werden LEDs eingesetzt, da hier ihre Vorzüge – lange Lebensdauer, Robustheit und kleine Abmessungen – besonders vorteilhaft sind. Ein typisches Anwendungsbeispiel sind Bildschirme für mobile Kleingeräte wie Mobiltelefone oder Navigationsgeräte.
HVPE
Hydridgasphasenepitaxie (Hydride Vapor Phase Epitaxy) ist ein Verfahren zur Herstellung von z. B. III–V Verbindungshalbleitermaterialien aus den metallisch vorliegenden Quellen der chemischen Gruppe III und Wasserstoffverbindungen der chemischen Gruppe V des Halbleiterkristalls.
Integrierter Schaltkreis
Ein kompletter elektronischer Schaltkreis mit Transistoren und Drähten, die diese Transistoren auf einem Halbleiterchip miteinander verbinden (Metallschaltungen).
ISO 9001
Ist Teil einer Normenreihe, die die Grundsätze für Maßnahmen zum Qualitätsmanagement eines Unternehmens dokumentiert. Diese Norm beschreibt modellhaft das gesamte Qualitätsmanagementsystem und ist die Basis für umfassende QM-Arbeit.
Isolator
Ein Material, durch das kein elektrischer Strom fließt. In Halbleiterchips werden als Isolatoren normalerweise Silizium-Dioxid (Glas) und Silizium-Nitrid (Silizium + Stickstoff) verwendet. In der Halbleiterindustrie wird der Isolator oft auch als Dielektrikum bezeichnet.
Kapitalmarkt
Der Kapitalmarkt ist ein Teil des Finanzmarkts und besteht aus der Gesamtheit aller Institutionen und Transaktionen, die der Zusammenführung von Angebot und Nachfrage nach langfristigem (Finanz-)Kapital dienen.
Kohlenstoff-Nanoröhren
Kohlenstoff-Nanoröhren, auch CNT genannt (engl. „Carbon Nanotubes"), sind mikroskopisch kleine röhrenförmige Gebilde (molekulare Nanoröhren) aus Kohlenstoff. Je nach Detail der Struktur ist die elektrische Leitfähigkeit innerhalb der Röhre metallisch oder halbleitend. Es wurden bereits Transistoren und einfache Schaltungen mit halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhren hergestellt.
Kondensatoren
Ein Schaltkreiselement, das durch das Einbringen einer Isolierschicht zwischen zwei leitfähigen Schichten entsteht; seine Funktion besteht darin, elektrische Ladung zu speichern. Es handelt sich hierbei um einen sehr wichtigen Bestandteil der Speicherchips.
LCD
LCD oder Flüssigkristallanzeige (engl. „Liquid Crystal Display") erfüllt die gleiche Funktion wie die Bildröhre eines Fernsehers (Monochrom- oder Farbanzeige) und steht für sehr flache, stromsparende Displays.
Leiter
Ein Material, durch das elektrischer Strom fließt.
Leuchtdiode
Eine LED (engl. „Light Emitting Diode") ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement. LEDs können Licht emittieren, das sehr hell und energiesparend ist. LEDs haben in der gebräuchlichsten Variante üblicherweise eine Fläche von 0,1 mm2 (mit ca. 20 mA betrieben), wohingegen besonders leistungsstarke LEDs eine Fläche von mehr als 1 mm2 haben können (mit 350 mA betrieben). Damit gehören LEDs zu den kleinsten Lichtquellen der Welt. Aufgrund der geringen Energieaufnahme und niedrigen Wärmestrahlung sind LEDs potenziell ökonomischer und sicherer als herkömmliche Leuchtmittel.
Lichtsender
Lichtsender – zum Beispiel ein Laser oder eine LED – wandeln elektrische Energie in Licht um. Das Gegenteil von einem Lichtsender ist ein Detektor (Lichtempfänger), der am Ende einer Glasfaser oder in einer Solarzelle verwendet wird.
Logikchip
Der maßgebliche Chip, der die grundlegenden Rechenprozesse in einem elektronischen Bauteil ausführt. Der Hauptchip in einem Computer ist zum Beispiel der Mikroprozessor, der u. a. mathematische Berechnungen erstellt.
LPE
Eine relative einfache Produktionsmethode für Verbindungshalbleiter. Die aufzubringenden Verbindungen werden bei normalem Druck verflüssigt; dann nimmt der Wafer ein Tauchbad in der Flüssigkeit. Vorteil: Man kann sehr schnell sehr dicke Schichten produzieren. Nachteil: Die Schichten lassen sich nicht fein dosieren. Deshalb wird das Verfahren in der Regel nur für schwächere LEDs genutzt.
MBE
Diese Produktionsmethode von Verbindungshalbleitern war viele Jahre lang die erste Wahl in der Grundlagenforschung von Physikern, um sehr dünne Schichten zu erzeugen. Die Ausgangsmaterialien befinden sich in Gefäßen innerhalb der Anlage oder des Reaktors und werden dann bei extrem niedrigem Druck – etwa ein Millionstel des normalen atmosphärischen Drucks – verdampft. Vorteil: Der extrem niedrige Druck sorgt gegenüber LPE für eine sehr hohe Halbleiter-Reinheit. Nachteil: Die Erzeugung des Vakuums macht diese Methode am kostspieligsten; die Produktion ist auf kleine Volumina begrenzt. Außerdem lassen sich nicht alle Materialien per MBE-Verfahren herstellen.
Mikrometer
Tausend Mikrometer sind ein Millimeter. Ein Menschenhaar ist ungefähr 100 Mikrometer dick.
MIM
Eine Metall-Isolator-Metall-Diode entsteht, indem ein dünner Isolator von zwei Metallschichten umgeben wird. Wird eine Spannung auf die beiden Metallschichten ausgeübt, werden Elektronen induziert, die quantenmechanisch von einem Metall zum anderen durch den Isolator tunneln. Damit dies bei geringer Spannung geschieht (1 Volt und weniger), muss der Isolator sehr dünn sein, in der Regel weniger als 50 Angstrom.
MOCVD
MOCVD steht für metallorganisch-chemische Gasphasendeposition (engl. „Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition") und ist die am besten geeignete Methode, um Verbindungshalbleiter zu produzieren. Bei dieser Produktionsmethode werden die Ausgangsstoffe – metallorganische Verbindungen – in Gase umgewandelt und dann in einem Trägergas nach und nach in den Reaktor eingeleitet. Die Umwandlung findet unter reduziertem Druck statt – bei bis zu einem Zehntel des normalen atmosphärischen Drucks. Vorteile: Die eingeführten Gase sind hochrein und lassen sich hervorragend dosieren. MOCVD Anlagen ermöglichen darüber hinaus die Beschichtung großer Flächen und sind deshalb erste Wahl bei den Herstellern von Halbleitern. MOCVD ist zudem die kostengünstigste Methode. AIXTRON ist Weltmarktführer in dieser Technologie.
NAND-Flash-Speicher
Hierbei handelt es sich um einen nichtflüchtigen Computerspeicher, der in NAND-Technologie (engl. „Not/AND"- Verknüpfung) gefertigt ist. Flash-Speicher zeichnen sich dadurch aus, dass sie elektrisch gelöscht und neu programmiert werden können. Diese Technologie wird vorrangig für Speicherkarten verwendet. Die Daten eines Flash-Speicher-Bauelements bleiben auch nach Unterbrechung der Stromversorgung erhalten.
Nanometer
Ein Nanometer (nm) entspricht einem Milliardstel Meter und ist ungefähr 70.000 Mal dünner als ein menschliches Haar.
Nanotechnologie
Mit Nanotechnologie wird die Forschung in der Clusterphysik und Oberflächenphysik, Oberflächenchemie, der Halbleiterphysik, in Gebieten der Chemie und bisher noch im begrenzten Rahmen in Teilbereichen des Maschinenbaus und der Lebensmitteltechnologie (Nano-Food) bezeichnet. Der Sammelbegriff gründet auf der allen Nano-Forschungsgebieten gemeinsamen Größenordnung vom Einzelatom bis zu einer Strukturgröße von 100 Nanometern (nm). Nanomaterialien spielen zunehmend eine wichtige Rolle bei der Verkleinerung von Schaltelementen. Typische moderne Vertreter von nanotechnologischen Produkten sind die sogenannten Quantenpunkte (engl. „Quantum Dots"). Auch moderne Prozessoren haben Strukturen, die kleiner sind als 100 nm, und können daher als nanotechnologisch bezeichnet werden.
NASDAQ
Die NASDAQ (engl. „National Association of Securities Dealers Automated Quotations") ist eine 1971 als vollelektronische Plattform gegründete Börse. Den Wertpapierhandel an der NASDAQ kontrolliert die United States Securities and Exchange Commission (SEC).
Nichtflüchtiger Speicher
Ein Halbleiterspeicher, dessen Daten auch nach Abschalten des Stroms erhalten bleiben. Das Gegenteil hiervon sind flüchtige Speicher, wie zum Beispiel DRAM-Speicher, bei denen die Informationen verloren gehen, wenn der Chip nicht mit Strom versorgt wird.
OLED
Die organische Leuchtdiode (OLED, engl. „Organic Light Emitting Diode"), ist ein dünnfilmiges Bauelement, das in der Regel aus einer Reihe organischer, dünner Schichten zwischen zwei dünnschichtigen, leitfähigen Elektroden besteht. Die Auswahl der organischen Materialien und die Schichtstruktur bestimmen die Leistungsmerkmale des Bauelements: ausgestrahlte Farbe, Lebensdauer und Energieeffizienz.
OVPD®
Die organische Gasphasenabscheidung (engl. „Organic Vapor Phase Deposition") ist eine Technologie für die Dünnschichtabscheidung von kleinmolekularen, organischen Materialien. Sie macht sich die Vorteile der Gasphasenabscheidung zu Nutze, bei der die Materialien durch ein inaktives Trägergas auf das Substrat aufgebracht werden.
PCRAM
Abkürzung steht für Phase-Change RAM und bezeichnet einen nicht-flüchtigen Speicher in der Elektronik. Das Wirkprinzip des Speichers resultiert aus der Änderung des elektrischen Widerstands des Speichermaterials in Abhängigkeit davon, ob es in amorpher (hoher Widerstand/ RESET state) oder in kristalliner (niedriger Widerstand/SET state) Phase vorliegt. Das benutzte Material ist dabei eine Chalkogenid-Legierung (Chalkogen- Verbindung) – ähnlich dem Material, das ebenfalls unter Ausnutzung von Phasenwechsel bei einer CD-RW bzw. DVD-RAM für die Datenspeicherung sorgt.
PECVD
Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (engl. „Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition" oder üblicherweise auch als „Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition" (PACVD) bezeichnet) ist ein Begriff für eine Sonderform der Chemical Vapor Deposition (CVD), bei der die Abscheidung von dünnen Schichten durch chemische Reaktion wie beim CVD-Verfahren erfolgt. Zusätzlich wird der Prozess durch ein Plasma unterstützt. Das Plasma kann direkt am zu beschichtenden Substrat brennen (Direkt-Plasma-Methode) oder in einer getrennten Vorkammer (Remote-Plasma-Methode).
Periodensystem
Alle Elemente im Periodensystem werden entsprechend ihrer Ordnungszahl und chemischen Eigenschaften in Haupt- und Nebengruppen eingeteilt. Diese Gruppen werden zur Bezeichnung von Verbindungshalbleitern verwendet. Gallium ist in der III. Hauptgruppe, Stickstoff in der V., daher nennt man GaN einen III/V Halbleiter.
Planetary Reactor® / Planetenreaktor
Der Planetary Reactor® basiert auf dem Prinzip eines horizontalen Laminarflussreaktors. Das Laminarfluss-Prinzip gewährleistet schärfste Übergänge zwischen verschiedenen Materialien und eine unvergleichliche Kontrolle der Abscheideraten im Bereich einzelner Atomlagen. Die Kombination dieses Prinzips mit AIXTRONs einzigartiger Mehrfachrotations-Methode der Substratträger, die so genannte Gas Foil Rotation® (GFR), stellt sicher, dass die Abscheidung mit exzellenter Homogenität bezüglich Schichtdicke, Zusammensetzung und Dotierung erfolgt. Zudem gewährleistet der spezielle Reaktoreinlass, der eine Separation der reaktiven Gase erlaubt, einen nach außen gleichmäßigen radialen Fluss, mit einer optimal einstellbaren Verteilung.
Planetenrotation
Eine spezielle Anordnung der Wafer innerhalb eines MOCVD-Reaktors. Im Produktionsprozess drehen sich eine Anzahl kleiner Teller, auf denen die Wafer aufliegen, wie Planeten im Weltraum um einen zentralen Gaseinlass (Gas Foil Rotation®). Die große Scheibe dreht sich ebenfalls. Damit wird ein sehr gleichmäßiges Aufbringen der Verbindungshalbleiterschichten auf den Wafer erreicht. AIXTRON nutzt dieses Verfahren als Teil seiner MOCVD-Technologie (siehe Planetary Reactor®).
Prime Standard
Der Prime Standard ist, als Teilbereich des regulierten Markts mit weiteren Zulassungspflichten, neben dem General Standard das privatrechtlich organisierte, gesetzlich regulierte Börsensegment der Frankfurter Wertpapierbörse mit den höchsten Transparenzstandards und gleichzeitig die Voraussetzung für eine Aufnahme in die Indizes DAX®, MDAX® TecDAX® und SDAX®.
PVPD™
Polymer Vapor Phase Deposition oder polymere Gasphasendeposition. Dieses Verfahren kommt u.a. in der Herstellung von elektronischem Papier zum Einsatz.
Reinraum
Der Raum in einer Halbleiterfabrik, in dem die gesamte Waferbeschichtung stattfindet. Staubteilchen und Partikel, die bei der Verarbeitung auf die Wafer fallen und dazu führen können, dass die Schaltkreise nicht funktionieren, werden aus dem Reinraum herausgehalten, indem die Luft gefiltert und der Luftstrom kontrolliert wird. Die Mitarbeiter müssen spezielle Reinraum-Anzüge (Overalls) und Überschuhe über ihrer Straßenkleidung sowie Handschuhe und Gesichtsmasken tragen (Risiko abfallender Hautpartikel und Haare). Normales Papier ist in Reinräumen untersagt – dort darf nur Papier mit wenigen Partikeln verwendet werden.
RFID-Chips
Der englische Begriff „Radio-Frequency Identification" (RFID) bedeutet im Deutschen Identifizierung mit Hilfe von elektromagnetischen Wellen. Sog. RFID Tags ermöglichen die automatische Identifizierung und Lokalisierung von Gegenständen und Lebewesen und erleichtern damit erheblich die Erfassung und Speicherung von Daten.
Run
Ein einzelner Produktionslauf bei der Herstellung von Verbindungs-halbleiterschichten.
Sarbanes-Oxley Act
Der Sarbanes-Oxley Act of 2002 (kurz SOX) ist ein US-Bundesgesetz, das die Verlässlichkeit der Berichterstattung von Unternehmen, die den öffentlichen Kapitalmarkt der USA in Anspruch nehmen, verbessern soll.
Silizium
Ein Element des Periodensystems mit dem chemischen Symbol Si. Silizium ist ein Halbleiter, der für die Herstellung der meisten Transistoren und integrierten Schaltungen verwendet wird.
Speicherchip
Ein Chip, der Informationen speichert, die von Logikchips verarbeitet werden. In einem Computer speichern die Speicherchips zum Beispiel das Textverarbeitungsprogramm, während es benutzt wird, sowie die einzelnen Buchstaben der Textverarbeitungsdokumente, die gerade bearbeitet werden. Für die meisten Computer werden DRAM-Speicher verwendet. Hinsichtlich der weltweiten Gesamteinnahmen ist dies der wichtigste Speichertyp.
Standfläche
Der Bereich, den eine Anlage in einem Reinraum einnimmt. Dies ist ein wichtiger Aspekt, da die Reinraumfläche teuer ist und die Standfläche einer Anlage daher möglichst klein sein sollte. Halbleiterhersteller interessieren sich für zwei Größen – die Standfläche und die Frontlänge (Länge der Maschinenfront). Die Frontlänge hat Einfluss darauf, wie viele Anlagen in eine Halle passen, wenn alle nebeneinander aufgestellt sind.
Steuerelement
Ein Element eines Transistors, auf das Spannung ausgeübt werden kann, um einen Schaltkreis an- oder auszuschalten. Für den Aufbau eines Steuerelements sind Isoliermaterialien notwendig, um ein elektrisches Feld zu erzeugen.
Substrat
Das Grundmaterial, auf das die Halbleiterschichten abgeschieden werden. Vgl. Wafer
Suszeptor
Diese rotierende Platte dient als Auflage für das Substrat oder den Substrathalter. Normalerweise besteht er aus Graphit, um sehr gleichmäßige Temperaturen zu gewährleisten.
TecDAX®
Der TecDAX® ist ein deutscher Technologie-Aktienindex. Neben dem DAX®, dem MDAX® und dem SDAX® gehört der TecDAX® zum Prime Standard.
TFT
Ein Dünnschichttransistor (engl. „Thin-Film Transistor") ist ein spezieller Feldeffekttransistor mit dem großflächige elektronische Schaltungen, z. B. auf Glasscheiben, hergestellt werden können. Er gibt dem TFT-Flachbildschirm seinen Namen, da zur Hintergrundbeleuchtung zunehmend LEDs zum Einsatz kommen, und findet in Laptops und Computermonitoren Verwendung.
Trägergas
Bei der Gasphasenabscheidung, dem Verfahren zur Produktion von Verbindungshalbleiterschichten oder Siliziumbauelementen, werden die Ausgangsstoffe in einem Trägergas gelöst und dann in den Reaktor eingeführt. Als Trägergase werden vorrangig Wasserstoff, Argon und Stickstoff eingesetzt.
Transistoren
Diese Bauelemente werden in zwei Typen aufgeteilt: der Feldeffekttransistor beruht auf dem Effekt, dass durch eine über einen isolierten Kontakt (genannt „Gate") angelegte Spannung ein Strom zwischen zwei Kontakten (genannt „Source" und „Drain") beeinflusst werden kann. Beim Bipolartransistor geschieht die Steuerung des Stroms zwischen den beiden Kontakten durch einen kleinen Strom an der sogenannten „Basis". Dieser Strom beeinflusst den Strom zwischen den beiden weiteren Kontakten, genannt „Emitter" und „Collector".
Verbindungshalbleiter
Diese aus mehreren Elementen bestehenden Halbleiter sind komplexe Kristallstrukturen. Sie definieren sich aus den Hauptgruppen des Periodensystems, wie zum Beispiel IV/IV (Germanium/Silizium), III/V (Gallium/ Stickstoff), II/VI (Magnesium/Sauerstoff). Verbindungshalbleiter haben einige Vorteile gegenüber Halbleitern aus nur einem Element. Einige haben Eigenschaften, die es erlauben, effizient Licht auszustrahlen oder zu absorbieren (zur Beleuchtung oder zur Produktion elektrischer Energie). Aus etlichen können Bauelemente erzeugt werden, die eine höhere Leistungsfähigkeit, höhere Arbeitsfrequenz oder höhere Effizienz haben als ähnliche Bauelemente nur aus Silizium bestehend.
VPE
Hierbei handelt es sich um ein älteres, bewährtes Verfahren zur Herstellung von Verbindungshalbleitern. Im Gegensatz zum MOCVD-Verfahren werden bei diesem Gasphasenprozess anorganische Stoffe als Ausgangsmaterialien verwendet. Die Methode erlaubt das saubere Auftragen sehr dicker und reiner Schichten. Allerdings können nicht alle Materialien mit diesem Verfahren hergestellt werden. AIXTRON liefert solche Anlagen für Nischenanwendungen. Mit Hilfe dieser Methode können hochqualitative Galliumnitridsubstrate, so genannte Templates, hergestellt werden.
Wafer
Der Fachterminus für das Substratmaterial, typischerweise eine dünne Scheibe aus Halbleitermaterial, auf die die Schichten im Reaktor abgeschieden werden. Wafer haben normalerweise einen Durchmesser von 2 Zoll oder 100,150, 200 und 300 mm.
Wertpapierhandelsgesetz
Das Wertpapierhandelsgesetz (WpHG) reguliert in Deutschland den Wertpapierhandel und dient der Kontrolle von Wertpapier-Dienstleistungsunternehmen zum Schutz der Anleger.