AIXTRON CCS MOCVD-Anlage für die University of Texas in Austin zur Herstellung von Galliumoxid-Leistungselektronik / AIXTRON unterstützt US-Spitzenuniversität mit moderner MOCVD-Anlage für

AIXTRON CCS MOCVD-Anlage für die University of Texas in Austin zur Herstellung von Galliumoxid-Leistungselektronik

AIXTRON unterstützt US-Spitzenuniversität mit moderner MOCVD-Anlage für Forschung und Entwicklung

Herzogenrath, 21. Juli 2022 - AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt, dass sie eine neue AIXTRON Close Coupled Showerhead (CCS)-Beschichtungsanlage an die University of Texas at Austin, Microelectronics Center (MRC), Department of Electrical and Computer Engineering, liefern wird.

Die hochmoderne MOCVD-Beschichtungsanlage ist so konfiguriert, dass sie sowohl Galliumoxid (Ga₂O₃) als auch Galliumnitrid (GaN)-basierte Materialien verarbeiten kann. Beide Materialien sind als Materialien mit breiter und ultrabreiter Bandlücke qualifiziert - Galliumoxid und seine Legierungen können bei höheren Spannungen, Frequenzen und Temperaturen arbeiten als die herkömmlichen Halbleitermaterialien. Diese Eigenschaften eröffnen neue Anwendungen in den Bereichen Fotodioden und Leistungsschalter.

Hochflexibel – höchst zuverlässig

Die AIXTRON MOCVD-Anlage kann leicht von Galliumoxid- auf Galliumnitrid-Betrieb umgeschaltet werden, was einen sicheren, fehlerfreien Betrieb der Anlage ermöglicht. Das Herzstück der MOCVD-Anlage ist ein fortschrittlicher Dreifach-Plenum-Showerhead, der dafür sorgt, dass die oxidierenden Materialien bis zur Injektion in die Prozesskammer vollständig von den metallorganischen und gasförmigen Vorläufern getrennt bleiben. Das System gewährleistet ein hohes Maß an thermischer Gleichmäßigkeit durch das ARGUS-Temperaturmapping über den Suszeptor und ist daher perfekt für High-End-Forschung und -Entwicklung ausgelegt - sowohl in akademischen Einrichtungen als auch in innovativen Privatunternehmen.

"Wir haben in der Vergangenheit sehr gute Erfahrungen mit AIXTRONs CCS-Reaktoren für GaAs und InP-Materialien gemacht. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit AIXTRON bei der Entwicklung neuartiger Epitaxieschichten und Bauelemente mit dieser flexiblen Anlage für die beiden Materialien Ga₂O₃ und GaN", sagt Professor Xiuling Li, Stiftungsprofessor im Fachbereich Elektrotechnik und Computertechnik an der University of Texas in Austin und ebenfalls IEEE-Fellow. "Dieser einzigartige MOCVD-Reaktor für die Deposition von Galliumoxid und III-Nitriden wird die University of Texas an die Spitze der Forschung in diesem Bereich bringen", sagt Professor Sanjay Banerjee, Lehrstuhlinhaber und Direktor des MRC.

"Wir sind stolz auf die erneute Partnerschaft mit Prof. Li und einer so renommierten US-Universität. Unsere CCS MOCVD-Anlagen haben eine hervorragende Erfolgsbilanz bei der Unterstützung akademischer Arbeiten und bei der späteren Skalierung auf Tier-1-Industrieunternehmen. Wir sind sehr gespannt auf die Fortschritte bei Galliumoxid für die nächste Generation von Leistungsbauelementen", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

Ansprechpartner

Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Close Coupled Showerhead®, Gas Foil Rotation®, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, TriJet®

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor