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| Verbindungshalbleiter

AIXTRON erhält weiteren Auftrag von Sumitomo für GaN-on-SiC-Produktionstechnologie

Japanischer Konzern reagiert auf stetig steigende Marktnachfrage bei Anwendungen für den RF-Datentransfer

AIXTRON SE (FSE: AIXA; OTC: AIXNY), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass das Unternehmen eine CRIUS MOCVD-Anlage mit 4-Zoll-Waferkonfiguration an den japanischen Konzern Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI) zur Ausweitung der Produktion von GaN-on-SiC- (Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-) Bauelementen zur Anwendung im RF-Datentransfer geliefert hat. Diese werden unter anderem für das zukünftige Mobilfunknetzwerk 5G benötigt. Die Anlage wurde im 4. Quartal 2016 in Betrieb genommen.

SEDI verfügt über langjährige Erfahrung mit AIXTRON’s Close Coupled Showerhead-Technologie, die eine leichte Skalierbarkeit ermöglicht. Darüber hinaus besitzt die Anlage von AIXTRON einen ausgezeichneten Ruf für äußerst gleichmäßig beschichtete 4-Zoll-Wafer und präzise Prozesskontrolle, die besonders wichtig für die Bauelemente-Produktion auf Basis kostenintensiver Siliziumkarbid-Wafer ist. Die neue Kammer ist mit optionalen Funktionen wie dynamischer Spaltverstellung, der ARGUS in-situ Temperaturkontrolle sowie dem Messsystem Epicurve TT ausgerüstet. Die Überwachungseinheit ARGUS liefert ein vollständiges Wafer-Mapping in Echtzeit für eine optimale Kontrolle des Wachstumsprozesses. Eine höhere Flexibilität wird möglich durch die Anpassung der Prozesslücke zwischen Showerhead und Substrat.

Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. genießt in der Branche hohes Ansehen für die Herstellung hochwertiger Hochfrequenz-Komponenten. Das Unternehmen bietet für Radar- und Mobilfunk-Basisstationen sowie allgemeine Anwendungen bereits eine Reihe von High Electron Mobility Transistor-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid an. Diese GaN-auf-SiC HEMT-Bauelemente erzielen eine hohe Leistungsverstärkung bei Schaltfrequenzen bis zu
14 GHz HF.