Turning vision into innovation.

Bosphorus Bridge – Istanbul, Türkei.

Since our founding 30 years ago we are enabling tomorrow’s technology trends.

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我们为研究与实践之间搭建一个桥梁。

Bosphorus Bridge – 伊斯坦布尔,土耳其。

LED创新——源自光的动力。
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我们专注于追求至纳米的精确度。

Passerelle – Metropole Ruhr,德国。

LED创新——源自光的动力
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我们支持市场——并与市场一同成长。

Modernes Bürogebäude - 德国。

LED创新——源自光的动力。
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我们致力于为世界带来一种全新的光。

机场——台湾。

LED创新——源自光的动力。
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08.07.2014 | Press releases

AIXTRON爱思强向全球领先的存储器制造商交付多套QXP-8300 ALD系统

德国黑措根拉特,二零一四年七月八日 –半导体及化合物半导体沉积设备及服务提供商AIXTRON SE爱思强股份有限公司今日宣布,已向一家全球领先的存储器制造商交付其生产的多台新一代QXP-8300 ALD系统。新系统采用高产量的先进技术,将有助于提高存储器设备的生产速度。

爱思强美国公司副总裁兼总经理Bill...

07.07.2014 | Press releases

阿卜杜拉国王大学大学订购AIXTRON爱思强系统拓展碳纳米研究能力

AIXTRON爱思强股份有限公司今日公布,阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)已订购一套用于生产石墨烯和碳纳米管的AIX BM等离子体增强化学气相沉积系统。这套可处理4英寸基材的反应器将于2014年第三季度交付。 Pedro Da Costa教授将带领团队在KAUST实验室利用该设备研究碳纳米结构。“我们计划拓展在此快速发展领域上的研究,旨在寻求更多新的应用领域。”Da...

03.07.2014 | Press releases

晶湛半导体借助AIXTRON爱思强反应器制造200毫米硅基高压氮化镓HEMT结构材料

中国半导体专家苏州晶湛半导体有限公司通过利用AIXTRON爱思强反应器,成功在200毫米的硅基(硅基氮化镓)上生产高压氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)结构材料。 硅基氮化镓电源设备凭借其在功率器件的潜在应用,最近引起了学术界和业界的广泛关注。由于硅芯片上异质外延生长氮化镓技术存在缺陷干扰性,所以硅基氮化镓电源设备具有高缓冲漏电问题。最近,晶湛半导体在200毫米的硅基上制造出高压氮化镓HEMT材料,该材料具有良好的均匀性和低缓冲漏电性能,以及<0.5 ...

24.06.2014 | Press releases

菲尼萨购买AIXTRON爱思强系统进行产能扩大及新产品研发

黑尔措根拉特,2014年6月24日 – 菲尼萨公司已订购一套AIXTRON爱思强AIX 2800G4-TM MOCVD系统。公司计划利用该系统在其瑞典厂房设计和制造可调谐激光器、高速调制器以及光积体电路。 “我们需要一套MOCVD系统来支持我们扩大产能的计划,而AIXTRON爱思强成为了我们毋庸置疑的首选。”菲尼萨瑞典副总裁兼总经理Patrik...